[發明專利]一種芯片中特定電路測試用微型襯墊結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201611042082.1
• 申請日: 2016-11-22
• 公開（公告）號: CN106783802A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 顧珍;田志;殷冠華;陳昊瑜;姬峰
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,陳慧弘

1.一種芯片中特定電路測試用微型襯墊結構，其特征在于，從下到上依次包括：頂部金屬層、形成有鋁襯墊層的第一通孔層間介質層和第二通孔層間介質層、具有鋁襯墊開口的第一鈍化層介質層以及具有鈍化層開口區的第二鈍化層介質層和第一鈍化層介質層；其中，所述鋁襯墊在所述的第一鈍化層介質層中具有鋁延長部，所述鈍化層開口位于所述鋁延長部，且所述鈍化層開口的底部同所述鋁襯墊相接觸，以使所述鈍化層開口與所述鋁襯墊開口區錯開。

2.一種權利要求1中所述芯片中特定電路測試用微型襯墊結構的制作方法，其特征在于，包括：

步驟S1：在形成頂部金屬層并平坦化后，依次進行第一通孔層間介質層生長和第二通孔層間介質層生長；

步驟S2：在第二通孔層間介質層表面涂覆光刻膠，并圖形化；

步驟S3：進行通孔的蝕刻；其中，所述通孔的底部暴露出頂部金屬層；

步驟S4：生長一層鋁層，通過光刻刻蝕形成鋁襯墊；其中，所述鋁襯墊具有鋁延長部；

步驟S5：生長第一鈍化層介質層；其中，所述第一鈍化層介質層完全平坦覆蓋于所述鋁襯墊的上方；

步驟S6：在所述第一鈍化層介質層上生長第二鈍化層介質層；

步驟S7：在所述第二鈍化層介質層和所述第一鈍化層介質層中形成鋁襯墊開口；其中，所述鈍化層開口位于所述鋁延長部，且所述鈍化層開口的底部同所述鋁襯墊相接觸，以使所述鈍化層開口與所述鋁襯墊開口區錯開。