[發(fā)明專利]在MEMS傳感器上形成過濾網(wǎng)的方法以及MEMS傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611041741.X | 申請日: | 2016-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN106744664B | 公開(公告)日: | 2019-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 詹竣凱;周宗燐;邱冠勳;蔡孟錦 | 申請(專利權(quán))人: | 歌爾股份有限公司 |
| 主分類號: | B81C3/00 | 分類號: | B81C3/00;B81B7/00 |
| 代理公司: | 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 王昭智;馬佑平 |
| 地址: | 261031 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 過濾網(wǎng) 自粘卷材 膠帶 解離 采集孔 良品率 基材 網(wǎng)孔 粘接 轉(zhuǎn)印 薄膜 | ||
1.一種在MEMS傳感器上形成過濾網(wǎng)的方法,其特征在于,包括以下步驟:
在基材(13 )上設(shè)置可解離膠帶,在可解離膠帶的粘接面上形成過濾網(wǎng)(11),所述過濾網(wǎng)(11)的網(wǎng)孔采用黃光微影方法或者納米壓印方法形成;
將所述過濾網(wǎng)(11)轉(zhuǎn)印到薄膜(14)上,以形成自粘卷材(15);
將位于所述自粘卷材(15)上的所述過濾網(wǎng)(11)轉(zhuǎn)移粘接到MEMS傳感器的采集孔(16)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在形成過濾網(wǎng)(11)步驟中包括:
在所述可解離膠帶的粘接面上設(shè)置光刻膠;
采用黃光微影方法對所述光刻膠進行刻蝕,以形成與所述過濾網(wǎng)(11)的骨架相匹配的第一鏤空圖形;
在所述第一鏤空圖形內(nèi)沉積結(jié)構(gòu)材料;
移除光刻膠以形成所述過濾網(wǎng)(11)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在形成過濾網(wǎng)(11)步驟中包括:
在所述可解離膠帶的粘接面上沉積結(jié)構(gòu)材料;
在所述結(jié)構(gòu)材料的表面上設(shè)置光刻膠;
采用黃光微影方法對所述光刻膠進行刻蝕,以形成與所述過濾網(wǎng)(11)的網(wǎng)孔相匹配的第二鏤空圖形;
根據(jù)第二鏤空圖形對所述結(jié)構(gòu)材料進行刻蝕,以形成網(wǎng)孔;
移除光刻膠以形成所述過濾網(wǎng)(11)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任意一項所述的方法,其特征在于,形成所述過濾網(wǎng)(11)的結(jié)構(gòu)材料為金屬、陶瓷或者高分子材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的方法,其特征在于,采用低溫真空濺鍍方法沉積所述結(jié)構(gòu)材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述過濾網(wǎng)(11)的網(wǎng)孔的尺寸小于等于30μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在形成過濾網(wǎng)(11)步驟中包括:
在所述可解離膠帶的粘接面上設(shè)置光刻膠;
采用黃光微影方法對所述光刻膠進行刻蝕,以形成所述過濾網(wǎng)(11);
加熱刻蝕形成的所述過濾網(wǎng)(11),以使其固化。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在形成過濾網(wǎng)(11)步驟中包括:
在所述可解離膠帶的粘接面上設(shè)置光刻膠;
采用納米壓印方法對所述光刻膠進行壓印,以形成所述過濾網(wǎng)(11);
加熱刻蝕形成的所述過濾網(wǎng)(11),以使其固化。
9.一種MEMS傳感器,其特征在于,包括由基板和外殼(19)圍合形成的外部封裝結(jié)構(gòu),以及設(shè)置在所述外部封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部的MEMS芯片(18),所述外部封裝結(jié)構(gòu)具有連通所述MEMS芯片(18)和外部空間的采集孔(16),在所述采集孔(16)上根據(jù)如權(quán)利要求1-8中的任意之一所述的方法設(shè)置有所述過濾網(wǎng)(11)。
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