[發(fā)明專利]一種全彩QLED顯示器件及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611039378.8 | 申請日: | 2016-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN106784209A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐超 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/06 | 分類號: | H01L33/06;H01L33/50;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權事務所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 全彩 qled 顯示 器件 及其 制作方法 | ||
【技術領域】
本發(fā)明涉及平板顯示技術領域,特別涉及一種全彩QLED顯示器件及其制作方法。
【背景技術】
量子點(Quantum Dots)是一些肉眼無法看到的、極其微小的半導體納米晶體,是一種粒徑不足10納米的顆粒。通常說來,量子點是由鋅、鎘、硒和硫原子組合而成。量子點有一個與眾不同的特性,即每當受到光或電的刺激,量子點便會發(fā)出有色光線,光線的顏色由量子點的組成材料和大小形狀決定,這一特性使得量子點能夠改變光源發(fā)出的光線顏色。
有機發(fā)光二極管(OLED)是新一代LED的研究熱點,然而其在封裝技術及使用壽命上都存在著無法避免的問題。量子點作為新型的發(fā)光材料,具有光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色可調、使用壽命長等優(yōu)點,成為目前新型LED發(fā)光材料的研究熱點。因此,以量子點發(fā)光材料作為發(fā)光層的量子點發(fā)光二極管(QLED)成為了目前新型LED研究的主要方向,并在照明以及平板顯示領域具有廣闊的應用前景。量子點發(fā)光二極管(QLED)因具有色域廣、色純度高、低功耗、低成本、穩(wěn)定性好,被譽為繼OLED之后新一代照明顯示技術。目前制備白光QLED采用兩種方法:1)由紅綠藍量子點發(fā)光材料通過電致發(fā)光組合形成白光;2)采用藍光的QLED搭配紅色量子點光致發(fā)光區(qū)和綠色量子點光致發(fā)光區(qū)組成。由于藍光量子點發(fā)光材料的發(fā)光效率較低,因此高效的藍光量子點發(fā)光材料成為制約QLED顯示器發(fā)展的瓶頸。
【發(fā)明內容】
本發(fā)明的目的在于提供一種全彩QLED顯示器件及其制作方法,以解決現(xiàn)有技術中,采用藍光的QLED搭配紅色量子點光致發(fā)光區(qū)和綠色量子點光致發(fā)光區(qū)組成的QLED顯示器件,由于藍光量子點發(fā)光材料的發(fā)光效率較低,因此高效的藍光量子點發(fā)光材料成為制約QLED顯示器發(fā)展的瓶頸的問題。
本發(fā)明的技術方案如下:
一種全彩QLED顯示器件,包括基板及在所述基板上依次層疊設置的陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、陰極層與彩膜層,及設在所述彩膜層上的透明蓋板;
其中,所述發(fā)光層的制作材料為綠光量子點發(fā)光材料,所述彩膜層包括間隔設置的多個光提取層,及設置于多個所述光提取層之間的紅色像素層與藍色像素層。
優(yōu)選地,每個所述光提取層兩邊分別為所述紅色像素層與所述藍色像素層。
優(yōu)選地,所述紅色像素層的制作材料為光致發(fā)光的紅色量子點發(fā)光材料。
優(yōu)選地,所述藍色像素層的制作材料為光致發(fā)光的藍色上轉換發(fā)光材料。
優(yōu)選地,所述發(fā)光層的發(fā)光波長在所述藍色上轉換發(fā)光材料的吸收波長范圍之內。
優(yōu)選地,所述紅色像素層與所述藍色像素層均通過噴墨打印的方式填充在多個所述光提取層之間。
優(yōu)選地,所述光提取層的制作材料為二氧化鈦。
一種全彩QLED顯示器件的制作方法,包括以下步驟:
在基板上依次層疊形成陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、陰極層;
在透明蓋板上形成一層光提取層;
在所述光提取層上形成多個間隔的像素凹槽;
在多個所述像素凹槽內分別形成紅色像素層與藍色像素層,所述光提取層、所述紅色像素層與所述藍色像素層共同形成彩膜層;
將所述彩膜層與所述陰極層對組壓合,形成所述全彩QLED顯示器件。
優(yōu)選地,在多個所述像素凹槽內分別形成紅色像素層與藍色像素層,具體包括:將藍色上轉換發(fā)光材料與紅光量子點發(fā)光材料,分別通過噴墨打印的方式填充到與其對應的所述像素凹槽內,以形成所述藍色像素層與所述紅色像素層。
優(yōu)選地,所述彩膜層與所述陰極層通過框膠進行對組壓合,形成所述全彩QLED顯示器件。
本發(fā)明的有益效果:
本發(fā)明的一種全彩QLED顯示器件及其制作方法,通過使用綠光量子點發(fā)光材料作為發(fā)光層,并在彩膜層上間隔設置多個光提取層,在多個光提取層之間設置藍色像素層和綠色像素層,有效地解決藍光量子點發(fā)光材料壽命較短的問題,實現(xiàn)超寬色域顯示,而且其光提取層可以大大提高綠光QLED的出光率,進而提高綠光QLED的發(fā)光效率。
【附圖說明】
圖1為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第一步驟形成的綠光QLED的整體結構示意圖;
圖2為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第二步驟中在透明蓋板上形成的光提取層結構示意圖;
圖3為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第三步驟中在光提取層上形成的多個像素凹槽的結構示意圖;
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