[發(fā)明專利]一種選擇性發(fā)射極黑硅電池及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611035207.8
• 申請日: 2016-11-16
• 公開（公告）號(hào): CN108074999A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李化陽;張良;李良;王霞;姚玉;任海兵
• 申請（專利權(quán)）人: 鎮(zhèn)江大全太陽能有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0236
• 分類號(hào): H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 談杰

1.一種選擇性發(fā)射極黑硅電池，其特征在于，包括電池銀柵線、氮化硅膜、黑硅絨面、選擇性發(fā)射極、硅襯底及鋁背場，所述鋁背場位于所述硅襯底的背面，所述選擇性發(fā)射極位于硅襯底上，所述黑硅絨面位于所述選擇性發(fā)射極上，所述氮化硅膜位于所述黑硅絨面上，所述電池銀柵線位于所述氮化硅膜上。

2.一種選擇性發(fā)射極黑硅電池的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、硅襯底去損傷層/拋光工藝；

步驟二、硅襯底正面PN結(jié)工藝；

步驟三、在PN結(jié)面形成電池圖案的掩膜；

步驟四、采用濕法清洗工藝對(duì)硅襯底背面和側(cè)面進(jìn)行刻蝕、回刻以及掩膜去除，在PN結(jié)面形成高低方阻發(fā)射極；

步驟五、對(duì)硅襯底表面進(jìn)行RIE制絨，形成黑硅絨面；

步驟六、對(duì)黑硅絨面進(jìn)行修復(fù)工藝；

步驟七、在黑硅絨面進(jìn)行鍍減反射膜工藝；

步驟八、采用絲網(wǎng)印刷工藝在氮化硅膜上形成電池銀柵線、在硅襯底背面形成鋁背場，燒結(jié)后制得電池片。

3.如權(quán)利要求2所述的選擇性發(fā)射極黑硅電池的制作方法，其特征在于，步驟一中，去損傷層/拋光工藝采用混酸處理方式和堿處理方式，混酸處理使用HF、HNO3混合液進(jìn)行處理，堿處理采用KOH溶液進(jìn)行處理。

4.如權(quán)利要求3所述的選擇性發(fā)射極黑硅電池的制作方法，其特征在于，所述混合液中HF、HNO3、H20的體積比為1：8：3，所述KOH溶液的濃度為9％，溫度為60℃。

5.如權(quán)利要求2所述的選擇性發(fā)射極黑硅電池的制作方法，其特征在于，步驟三中，通過絲網(wǎng)印刷或噴墨打印方式在PN結(jié)面形成電池圖案的掩膜。

6.如權(quán)利要求2所述的選擇性發(fā)射極黑硅電池的制作方法，其特征在于，步驟四中，使用HF、HNO3、H2SO4混合液對(duì)硅襯片背面和側(cè)面進(jìn)行刻蝕及回刻，使用掩膜去除藥液去除掩膜。

7.如權(quán)利要求2所述的選擇性發(fā)射極黑硅電池的制作方法，其特征在于，步驟五中，RIE制絨使用SF6、O2、Cl2混合氣體，利用離化后的F基團(tuán)對(duì)硅襯片表面進(jìn)行腐蝕，生成SiF4氣體，起到刻蝕作用，O2與硅生成SiO2，起到自掩膜作用，Cl2與硅生成SiCl4，起到自掩膜作用。

8.如權(quán)利要求2所述的選擇性發(fā)射極黑硅電池的制作方法，其特征在于，步驟六中，黑硅絨面修復(fù)工藝先使用BOE、H2O2、H2O混合液對(duì)硅襯片表面進(jìn)行修復(fù)，然后再使用HF、HCl混合液對(duì)硅襯片表面進(jìn)行清洗。

9.如權(quán)利要求2所述的選擇性發(fā)射極黑硅電池的制作方法，其特征在于，步驟七中，采用PECVD工藝在黑硅絨面沉積SiNx薄膜。

10.如權(quán)利要求9所述的選擇性發(fā)射極黑硅電池的制作方法，其特征在于，所述SiNx薄膜的厚度為75-95nm，折射率為2.05-2.15。