[發明專利]一種膜邊距測量方法及測量裝置

有效

• 申請號: 201611031891.2
• 申請日: 2016-11-18
• 公開（公告）號: CN106773155B
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 陳曦;袁劍峰;周賀
• 申請（專利權）人: 福州京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 胡萌

本發明提供了一種膜邊距測量方法及測量裝置，涉及液晶顯示技術領域，可測量保護膜層的膜邊到基板邊緣的距離，甄別出膜邊距過大的基板。其中所述方法包括：制備包括襯底基板、測試圖形和保護膜層的待測基板；測試圖形外邊緣與襯底基板的邊緣對齊，保護膜層與測試圖形存在重合，或者邊緣與測試圖形內邊緣對齊；沿測試路徑用測試光線掃描待測基板，接收被反射的測試光線，獲取各點對應的光譜，測試路徑經測試圖形，一個端點位于測試圖形所在的基板邊上；保護膜層對測試光線的吸收程度高于測試圖形對測試光線的吸收程度；確定出現吸收峰的光譜對應的點，該點到測試圖形所在的基板邊的垂直距離為膜邊距。上述測量方法用于甄別出膜邊距過大的基板。

技術領域

本發明涉及液晶顯示器件制造技術領域，尤其涉及一種膜邊距測量方法及測量裝置。

背景技術

在TFT-LCD(Thin film transistor liquid crystal display，薄膜晶體管液晶顯示器)產線中，需在玻璃基板上淀積完全覆蓋金屬圖形的保護膜層，對金屬圖形進行保護。

如圖1所示，在玻璃基板成膜的工藝腔室內設有位置和寬度都固定的遮擋板框架1，其中，遮擋板框架1中間有一鏤空區域，鏤空區域面積小于玻璃基板2的面積，且鏤空區域對應玻璃基板2上待成膜的區域。玻璃基板2在傳送至遮擋板框架1下時，玻璃基板2與遮擋板框架1的相對位置需滿足玻璃基板2的邊緣與鏤空區域的邊緣的間距相等，這樣才能保證在玻璃基板2上所成保護膜層的膜邊到玻璃基板2邊緣的距離都相等，從而使保護膜層完全覆蓋金屬圖形。

但是在實際操作中，如圖2所示，玻璃基板2傳送至遮擋板框架1下時，玻璃基板2與遮擋板框架1的相對位置可能會發生偏移，這就會出現所成保護膜層某一邊的膜邊與玻璃基板2邊緣的距離(以下稱保護膜層的膜邊與玻璃基板2邊緣的距離為膜邊距)過大的情況。當膜邊距過大時，會產生兩方面問題：一方面，金屬圖形的部分區域未被保護膜層覆蓋，導致后續的曝光和刻蝕工藝對金屬圖形產生不良影響；另一方面，由于產品的可設計范圍取決于被保護膜層所覆蓋的金屬圖形的面積的大小，因而，膜邊距過大會縮小產品的可設計范圍。

為了避免后續工藝對金屬圖形產生不良影響，以及避免產品的可設計范圍縮小，就需對所成保護膜層到玻璃基板的邊緣的距離進行確定，甄別出膜邊距過大的玻璃基板。然而，玻璃基板上所成的保護膜層一般采用SiN_x(氮化硅)薄膜或SiO₂(二氧化硅)薄膜，SiN_x薄膜和SiO₂薄膜的膜質透明，很難確定出保護膜層的膜邊到玻璃基板的邊緣的距離。因此，如何準確測量保護膜層的膜邊到玻璃基板邊緣的距離，成為了丞待解決的問題。

發明內容

本發明提供了一種膜邊距測量方法及測量裝置，可準確測量保護膜層的膜邊到玻璃基板邊緣的距離，甄別出膜邊距過大的玻璃基板。

為達到上述目的，本發明采用如下技術方案：

本發明第一方面提供了一種膜邊距測量方法，所述膜邊距測量方法應用于基板的成膜工藝中，所述膜邊距測量方法包括：步驟S1：制備待測基板，所述待測基板包括襯底基板，及形成于所述襯底基板上的測試圖形和保護膜層；所述測試圖形位于所述襯底基板的邊緣處，且所述測試圖形的外邊緣與所述襯底基板的邊緣對齊；所述保護膜層與所述測試圖形存在重合，或者所述保護膜層的邊緣與所述測試圖形的內邊緣對齊；其中，所述測試圖形的外邊緣相對于內邊緣靠近所述測試圖形所在的基板邊；步驟S2：沿測試路徑利用測試光線對所述待測基板進行掃描，掃描過程中，接收被所述待測基板反射的測試光線，獲取所述測試路徑上各位置點所對應的光譜；其中，所述測試路徑的一個端點位于所述測試圖形所在的基板邊上，且所述測試路徑經過所述測試圖形；所述保護膜層對所述測試光線的吸收程度高于所述測試圖形對所述測試光線的吸收程度；步驟S3：根據各位置點所對應的光譜，確定出現所述測試光線的吸收峰的光譜對應的位置點，該位置點到所述測試圖形所在的基板邊的垂直距離即為所述保護膜層的膜邊與所述測試圖形所在的基板邊之間的膜邊距。