[發明專利]寫追蹤跟隨性檢測方法和電路以及包括該電路的存儲器

有效

• 申請號: 201611026642.4
• 申請日: 2016-11-14
• 公開（公告）號: CN108074609B
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 史增博;方偉;郝旭丹
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G11C11/419
• 分類號: G11C11/419
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;卜璐璐

1.一種寫追蹤跟隨性檢測方法，其特征在于，所述方法包括：

提供寫追蹤單元、延時單元、虛擬存儲單元和檢測單元；

通過所述檢測單元檢測所述虛擬存儲單元是否寫失效；以及

當所述虛擬存儲單元未寫失效時，將所述寫追蹤單元的輸出作為寫反饋信號輸出；當所述虛擬存儲單元寫失效時，將所述寫追蹤單元的輸出經所述延時單元延時后再作為寫反饋信號輸出；

其中，所述檢測單元包括反相器、或門以及與非門，所述反相器的輸入連接到所述虛擬存儲單元的一個存儲節點，所述寫追蹤單元的輸出連接到所述延時單元的輸入，所述延時單元的輸出連接到所述或門的一個輸入，所述反相器的輸出連接到所述或門的另一個輸入，所述或門的輸出連接到所述與非門的一個輸入，所述寫追蹤單元的輸出連接到所述與非門的另一個輸入，所述與非門輸出所述寫反饋信號。

2.一種寫追蹤跟隨性檢測電路，其特征在于，所述電路包括寫追蹤單元、延時單元、虛擬存儲單元以及檢測單元，其中，

所述檢測單元用于檢測所述虛擬存儲單元是否寫失效，并在所述虛擬存儲單元未寫失效時使得所述寫追蹤單元的輸出作為寫反饋信號輸出，在所述虛擬存儲單元寫失效時使得所述寫追蹤單元的輸出經所述延時單元延時后再作為寫反饋信號輸出；

其中，所述檢測單元包括反相器、或門以及與非門，所述反相器的輸入連接到所述虛擬存儲單元的一個存儲節點，所述寫追蹤單元的輸出連接到所述延時單元的輸入，所述延時單元的輸出連接到所述或門的一個輸入，所述反相器的輸出連接到所述或門的另一個輸入，所述或門的輸出連接到所述與非門的一個輸入，所述寫追蹤單元的輸出連接到所述與非門的另一個輸入，所述與非門輸出所述寫反饋信號。

3.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，所述虛擬存儲單元包括具有第一存儲節點和第二存儲節點的一對交叉耦合的反相器、可操作地連接到所述第一存儲節點的第一傳輸晶體管、以及可操作地連接到所述第二存儲節點的第二傳輸晶體管。

4.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，所述虛擬存儲單元通過所述第一傳輸晶體管可操作地連接到第一虛擬位線，并通過所述第二傳輸晶體管可操作地連接到第二虛擬位線，所述第一傳輸晶體管和所述第二傳輸晶體管受控于虛擬字線。

5.一種存儲器，其特征在于，所述存儲器包括寫追蹤跟隨性檢測電路，所述電路包括寫追蹤單元、延時單元、虛擬存儲單元以及檢測單元，其中，

所述檢測單元用于檢測所述虛擬存儲單元是否寫失效，并在所述虛擬存儲單元未寫失效時使得所述寫追蹤單元的輸出作為寫反饋信號輸出，在所述虛擬存儲單元寫失效時使得所述寫追蹤單元的輸出經所述延時單元延時后再作為寫反饋信號輸出；

其中，所述檢測單元包括反相器、或門以及與非門，所述反相器的輸入連接到所述虛擬存儲單元的一個存儲節點，所述寫追蹤單元的輸出連接到所述延時單元的輸入，所述延時單元的輸出連接到所述或門的一個輸入，所述反相器的輸出連接到所述或門的另一個輸入，所述或門的輸出連接到所述與非門的一個輸入，所述寫追蹤單元的輸出連接到所述與非門的另一個輸入，所述與非門輸出所述寫反饋信號。

6.根據權利要求5所述的存儲器，其特征在于，所述虛擬存儲單元包括具有第一存儲節點和第二存儲節點的一對交叉耦合的反相器、可操作地連接到所述第一存儲節點的第一傳輸晶體管、以及可操作地連接到所述第二存儲節點的第二傳輸晶體管。

7.根據權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述虛擬存儲單元通過所述第一傳輸晶體管可操作地連接到第一虛擬位線，并通過所述第二傳輸晶體管可操作地連接到第二虛擬位線，所述第一傳輸晶體管和所述第二傳輸晶體管受控于虛擬字線。

8.根據權利要求5所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器為靜態隨機存儲器。