[發明專利]一種半導體工藝水保溫系統有效
| 申請號: | 201611026565.2 | 申請日: | 2016-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN108074837B | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發明(設計)人: | 郭聰;張懷東 | 申請(專利權)人: | 沈陽芯源微電子設備股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 汪海 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保溫水 輸出端 依次連通 換熱塊 藥閥 工藝水通道 半導體工藝 保溫系統 換熱裝置 內層流道 熱交換器 雙層保溫 外層流道 套管 溫度均勻性 出水端口 通道出口 通道入口 回水 工藝水 半導體 保證 | ||
1.一種半導體工藝水保溫系統,其特征在于:包括熱交換器(3)、換熱裝置(6)、換熱塊(8)、藥閥組件(9)、輸出端塊(10)和雙層保溫套管(18),其中所述換熱裝置(6)、換熱塊(8)、藥閥組件(9)以及輸出端塊(10)上均設有相互獨立的保溫水通道和工藝水通道,且各部件內的保溫水通道依次連通、各部件內的工藝水通道依次連通,其中所述換熱塊(8)、藥閥組件(9)以及輸出端塊(10)之間依次通過雙層保溫套管(18)相連,所述雙層保溫套管(18)內部設有相互獨立的內層流道和外層流道,所述換熱塊(8)、藥閥組件(9)和輸出端塊(10)內的工藝水通道通過雙層保溫套管(18)的內層流道依次連通,所述換熱塊(8)、藥閥組件(9)和輸出端塊(10)內的保溫水通道通過雙層保溫套管(18)的外層流道依次連通,所述熱交換器(3)上的保溫水出水端口通過管路與所述換熱裝置(6)內的保溫水通道入口相連,所述換熱裝置(6)內的工藝水通道與一個工藝水入水管路(5)相連,且工藝水由所述輸出端塊(10)內的工藝水通道流出,所述輸出端塊(10)內的保溫水通道出口則通過管路與所述熱交換器(3)上的保溫水回水端口相連;
所述藥閥組件(9)包括進水塊(13)、藥閥(15)、出水塊(17)和安裝座(12),其中所述進水塊(13)、藥閥(15)和出水塊(17)均設置于安裝座(12)上方,在所述進水塊(13)和出水塊(17)內均設有相互獨立保溫水流道和工藝水流道,且所述進水塊(13)內的工藝水流道、藥閥(15)以及出水塊(17)內的工藝水流道依次相通形成所述藥閥組件(9)的工藝水通道,所述安裝座(12)內設有保溫水流道,且所述進水塊(13)、安裝座(12)和出水塊(17)內的保溫水流道依次相通形成所述藥閥組件(9)的保溫水通道。
2.根據權利要求1所述的半導體工藝水保溫系統,其特征在于:所述進水塊(13)內的工藝水流道通過接頭A(14)與藥閥(15)的工藝水輸入端相通,所述藥閥(15)的工藝水輸出端通過接頭B(16)與所述出水塊(17)內的工藝水流道相通。
3.根據權利要求1所述的半導體工藝水保溫系統,其特征在于:所述輸出端塊(10)內的工藝水通道上設有一個單入水接頭(20),雙層保溫套管(18)的內層流道通過所述單入水接頭(20)與輸出端塊(10)上的工藝水出口(19)相通。
4.根據權利要求1或3所述的半導體工藝水保溫系統,其特征在于:所述輸出端塊(10)內的保溫水通道上設有一個保溫水回水空間(21),雙層保溫套管(18)的外層流道通過所述保溫水回水空間(21)與設置于所述輸出端塊(10)上的保溫水回水接頭(22)相通,所述保溫水回水接頭(22)通過保溫水回水管路(11)與所述熱交換器(3)上的保溫水回水端口相連。
5.根據權利要求1所述的半導體工藝水保溫系統,其特征在于:所述熱交換器(3)上的系統入水端口與系統入水管路(1)相連,所述熱交換器(3)上的系統出水端口與系統出水管路(2)相連。
6.根據權利要求1所述的半導體工藝水保溫系統,其特征在于:在所述換熱裝置(6)的工藝水通道與所述換熱塊(8)的工藝水通道相連的管路上設有流量計(7)。
7.根據權利要求1或6所述的半導體工藝水保溫系統,其特征在于:所述換熱裝置(6)上的工藝水入水端口與工藝水入水管路(5)相連。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于沈陽芯源微電子設備股份有限公司,未經沈陽芯源微電子設備股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611026565.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于解決淺溝槽隔離刻蝕中的球型缺陷的方法和系統
- 下一篇:基板濕式處理裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





