[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611026046.6
• 申請(qǐng)日: 2016-11-17
• 公開（公告）號(hào): CN106711094B
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸潤默
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: NEPES株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/13
• 分類號(hào): H01L23/13;H01L23/48;H01L21/50
• 代理公司: 11286 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 金光軍;尹淑梅

1.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：

框架，具有容納部，并被構(gòu)造成通過設(shè)置在容納部周圍的穿孔在其上部與下部之間傳輸電信號(hào)；

至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片，容納在容納部中；

布線部，設(shè)置在框架和半導(dǎo)體芯片下方，布線部被構(gòu)造為將穿孔連接到半導(dǎo)體芯片；

外部連接端子，設(shè)置在布線部下方，以電連接到布線部；

包封件，被成型，以將框架和半導(dǎo)體芯片一體化，并覆蓋半導(dǎo)體芯片的非有源表面、框架的上部和側(cè)表面；

導(dǎo)電柱，連接到穿孔的上部，

其中，框架被提供為印刷電路板，印刷電路板具有設(shè)置在其中心處的芯層和堆疊在芯層的上表面上的保護(hù)層，

其中，穿孔包括：

穿透部，填充穿過框架的過孔；

連接延伸部，在穿透部的上部上沿芯層的上表面延伸到穿透部的外側(cè)，

其中，保護(hù)層具有暴露連接延伸部的開口，

其中，導(dǎo)電柱設(shè)置在穿孔的上表面上，并且

其中，半導(dǎo)體封裝件的上表面和下表面通過導(dǎo)電柱和外部連接端子電連接到外部部件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，容納部形成在框架的中心處，過孔被設(shè)置成多個(gè)，所述多個(gè)過孔設(shè)置在容納部的周圍，

其中，導(dǎo)電柱連接到連接延伸部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，連接延伸部在框架的寬度方向上延伸穿透部的剖面區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，框架被提供為印刷電路板，其中，上保護(hù)層和下保護(hù)層分別堆疊在芯層的上表面和芯層的下表面上，

其中，連接延伸部包括：

上連接延伸部，沿芯層的上表面延伸；

下連接延伸部，沿芯層的下表面延伸，

其中，上保護(hù)層具有暴露上連接延伸部的開口，下保護(hù)層具有暴露下連接延伸部的開口。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，導(dǎo)電柱連接到位于比連接延伸部的區(qū)域大的區(qū)域中的穿孔，以容納位于導(dǎo)電柱內(nèi)側(cè)的連接延伸部，連接延伸部在框架的表面上被暴露。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，包封件形成有凹區(qū)域，以暴露導(dǎo)電柱的外側(cè)，凹區(qū)域向下被錐化。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，布線部包括：

第一絕緣層，堆疊在框架和半導(dǎo)體芯片的表面上，以暴露半導(dǎo)體芯片的信號(hào)焊盤和穿孔的表面；

布線層，設(shè)置在第一絕緣層上，并且被構(gòu)造為將半導(dǎo)體芯片的信號(hào)焊盤連接到穿孔的表面；

第二絕緣層，覆蓋布線層并使布線層絕緣。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，包封件的上表面和導(dǎo)電柱的上表面共面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括堆疊在包封件的上部上的上布線部，

其中，上布線部包括：

第一上絕緣層，堆疊在包封件的表面上，以暴露導(dǎo)電柱的端部；

上布線層，設(shè)置在第一上絕緣層上，并被構(gòu)造為連接到導(dǎo)電柱；

第二上絕緣層，覆蓋上布線層并使上布線層絕緣。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，框架被設(shè)置為具有與半導(dǎo)體芯片的高度相同的高度，或者具有比半導(dǎo)體芯片的高度高的高度。