[發明專利]半導體存儲器件及其操作方法

有效

• 申請號: 201611025104.3
• 申請日: 2016-11-15
• 公開（公告）號: CN107393592B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 李鐘妴;樸鎭壽;禹賢守
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

1.一種半導體存儲器件，包括：

存儲單元陣列，包括多個存儲塊；

外圍電路，被配置成對所述多個存儲塊之中的選中存儲塊執行編程操作；以及

控制邏輯，被配置成控制外圍電路來執行編程操作，

其中，控制邏輯控制外圍電路，以依次地：給選中字線施加編程電壓；給選中字線施加驗證電壓以用于驗證操作；給選中存儲塊和未選中存儲塊的漏極選擇線施加預漏極選擇線電壓；對共同耦接到所述多個存儲塊的位線的電壓電平進行放電，從而將未選中存儲塊中所包括的多個存儲串的溝道的電勢水平初始化至地電壓；以及給選中字線施加下一編程電壓。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，外圍電路包括：

電壓發生電路，被配置成產生操作電壓，所述操作電壓包括預漏極選擇線電壓、編程電壓、下一編程電壓、驗證電壓和通過電壓中的至少一種；

地址解碼器，被配置成將所述操作電壓傳輸給所述多個存儲塊；以及

讀取/寫入電路，耦接到所述位線，所述讀取/寫入電路被配置成在編程操作中調節位線的電勢水平或者感測位線的電勢水平或電流量。

3.如權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，電壓發生電路：

在驗證操作中，產生驗證電壓和通過電壓，以及

驗證操作一完成，就將驗證電壓和通過電壓放電，然后產生預漏極選擇線電壓。

4.如權利要求3所述的半導體存儲器件，其中，驗證操作一完成，電壓發生電路就將驗證電壓和通過電壓放電至地電壓或比地電壓大的預電壓中的至少一種。

5.如權利要求3所述的半導體存儲器件，其中，驗證操作一完成，地址解碼器就將預漏極選擇線電壓施加給選中存儲塊和未選中存儲塊的漏極選擇線。

6.如權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，當驗證操作一完成預漏極選擇線電壓被施加給選中存儲塊和未選中存儲塊的漏極選擇線時，讀取/寫入電路將地電壓施加給位線。

7.如權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，所述多個存儲串通過預漏極選擇線電壓而電耦接到位線。

8.如權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，控制邏輯包括：

只讀存儲器，被配置成儲存算法，以及響應于輸入命令而根據所述算法來輸出多個內部控制信號；

電壓發生控制電路，被配置成響應于所述多個內部控制信號中的至少一個來產生用于控制電壓發生電路的電壓發生電路控制信號；

地址解碼器控制電路，被配置成響應于所述多個內部控制信號中的任意一個來產生用于控制地址解碼器的地址解碼器控制信號；以及

頁緩沖器控制電路，被配置成響應于所述多個內部控制信號中的任意一個來產生用于控制讀取/寫入電路的頁緩沖器控制信號。

9.一種操作半導體存儲器件的方法，所述方法包括：

施加編程電壓給存儲單元陣列中所包括的多個存儲塊之中的選中存儲塊的選中字線；

通過給所述選中存儲塊的選中字線施加驗證電壓來執行驗證操作；

施加預漏極選擇線電壓給選中存儲塊和未選中存儲塊的漏極選擇線；

對共同耦接到所述多個存儲塊的位線的電壓電平進行放電，從而將未選中存儲塊中所包括的多個存儲串的溝道的電勢水平初始化至地電壓；以及

給選中字線施加下一編程電壓。

10.如權利要求9所述的方法，其中，對所述電壓電平放電包括：施加地電壓給所述位線。

11.如權利要求9所述的方法，其中，在給選中字線施加下一編程電壓后，再次執行驗證操作和預漏極選擇線電壓的施加。

12.如權利要求9所述的方法，其中，將驗證電壓放電至地電壓或比地電壓大的預電壓中的至少一種。