[發明專利]一種溶液法生長氯氧化釤納米晶及其方法在審
| 申請號: | 201611022283.5 | 申請日: | 2016-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN106629808A | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發明(設計)人: | 葛萬銀;葉曉慧;李燕瑞;殷立雄;劉輝 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | C01F17/00 | 分類號: | C01F17/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 徐文權 |
| 地址: | 710021 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 溶液 生長 氧化 納米 及其 方法 | ||
本發明涉及一種溶液法生長氯氧化釤納米晶及其方法,屬于無機三元稀土化合物納米晶材料合成領域。先按照1:(1~10)的摩爾比,將釤源和氯源前驅體分散在溶劑中,經過攪拌達到均勻混合。隨后在保護氣氛下,升溫到200攝氏度以上,通過一定的保溫時間,完成氯氧化釤納米晶的生長。隨后,經過離心分離即可獲得氯氧化釤納米晶。所生長的氯氧化釤納米晶具有完整的長方體形貌,厚度約為20納米,同時,具有很好的單分散性。本發明采用溶液法合成氯氧化釤納米晶,具有反應溫度低,操作簡單,容易控制,所制備的氯氧化釤納米晶純度高,無任何可探測到的雜質相。為進一步研究氯氧化釤納米晶的物理化學性質提供重要的物質平臺。
【技術領域】
本發明屬于無機三元稀土化合物納米晶材料合成領域,具體涉及一種溶液法生長氯氧化釤納米晶及其方法。
【背景技術】
稀土元素由于其特殊的4f電子軌道,致使稀土基化合物具有豐富的物理化學性質,比如催化性能、光性能、磁學性能等。稀土基的鹵氧化物具有廣泛的用途,包括作為熒光粉(Frank E.Swindells,Lanthanum Oxychloride Phosphors[J],Journal ofElectrochemical Society,1954,101:415-418)、閃爍體(Yetta D.Eagleman,EdithBourret-Courchesne,Stephen E.Derenzo,Room-temperature scintillationproperties of cerium-doped REOX(RE=Y,La,Gd,and Lu;X=F,Cl,Br,and I)[J],Journal of Luminescence,2011,131(4):669-675)、離子導體(K.Okamoto,N.Imanaka,andG.Adachi,Chloride Ion Conduction in Rare Earth Oxychlorides[J],Solid StateIonics,2002,154-155:577-580)、催化劑(Simon G.Podkolzin,Eric E.Stangland,MarkE.Jones,Elvira Peringer,Johannes A.Lercher,Methyl Chloride Production fromMethane over Lanthanum-Based Catalysts[J],Journal of American ChemicalSociety,2007,129(9):2569–2576)等。這些用途致使稀土鹵氧化物具有重要的商業價值。
氯氧化釤(SmOCl)化合物是稀土鹵氧化物家族的一種。它屬于四方晶系,空間點群為P4/nmn(129)。晶胞參數分別為:a,b,c分別為
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