[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611021154.4
• 申請日: 2016-11-15
• 公開（公告）號: CN107026125B
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張哲誠;林志翰;曾鴻輝
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/336
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

圖案化襯底，以在所述襯底內(nèi)形成多個溝槽并在所述多個溝槽之間形成半導(dǎo)體鰭片；

在所述多個溝槽內(nèi)形成多個絕緣體；

形成介電層，以覆蓋所述半導(dǎo)體鰭片以及所述多個絕緣體；

在所述介電層上形成第一擬柵極條及第二擬柵極條，所述第一擬柵極條及所述第二擬柵極條的長度方向與所述半導(dǎo)體鰭片的長度方向不同，其中所述半導(dǎo)體鰭片穿過所述第一擬柵極條，所述半導(dǎo)體鰭片未穿透所述第二擬柵極條，以及所述第二擬柵極條的底部寬度大于所述第二擬柵極條的頂部寬度；

在所述第一擬柵極條的側(cè)壁上形成一對第一間隙物，并且于所述第二擬柵極條的側(cè)壁上形成一對第二間隙物；

移除所述第一擬柵極條及所述第二擬柵極條；以及

在所述一對第一間隙物之間形成第一柵極，并且在所述一對第二間隙物之間形成第二柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述半導(dǎo)體鰭片的一端嵌入所述第二擬柵極條中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述半導(dǎo)體鰭片未與所述第二擬柵極條接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述第一擬柵極條及所述第二擬柵極條的制造方法包括：

在所述介電層上形成導(dǎo)體層；以及

圖案化所述導(dǎo)體層，以形成所述第一擬柵極條及所述第二擬柵極條，其中使用蝕刻氣體圖案化所述導(dǎo)體層，所述蝕刻氣體包括N₂、He、Ar、O₂、SF₆、NF₃、CxFy，x及y 0、CF₄、HBr、Cl₂、CHF₃、CH₂F₂、SO₂、或CH₃F，在溫度介于10^oC至120^oC之間時圖案化所述導(dǎo)體層，在壓力介于1 mTorr至100 mTorr之間時圖案化所述導(dǎo)體層，在功率介于10 W至1500 W之間時圖案化所述導(dǎo)體層，以及在偏壓介于10 W至1000 W之間時圖案化所述導(dǎo)體層。

5.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底，包括多個溝槽及在多個溝槽之間的半導(dǎo)體鰭片；

多個絕緣體，配置在所述多個溝槽內(nèi)；

介電層，覆蓋所述半導(dǎo)體鰭片以及所述多個絕緣體；

第一柵極，配置在所述介電層上，且所述半導(dǎo)體鰭片穿過所述第一柵極；以及

第二柵極，配置在所述介電層上，其中所述第一柵極及所述第二柵極的長度方向與所述半導(dǎo)體鰭片的長度方向不同，所述半導(dǎo)體鰭片未穿透所述第二柵極，以及所述第二柵極的底部寬度大于所述第二柵極的頂部寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體鰭片的一端嵌入所述第二柵極中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二柵極包括：

加寬部分，配置于所述介電層上；以及

頂部分，配置于所述加寬部分上，其中所述加寬部分的底部寬度大于所述頂部分的寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二柵極的所述加寬部分的高度實質(zhì)上等于所述半導(dǎo)體鰭片的高度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中所述加寬部分具有第一側(cè)壁以及與所述第一側(cè)壁相對的第二側(cè)壁，所述加寬部分具有位在所述第一側(cè)壁的凹部，所述凹部用以容納所述半導(dǎo)體鰭片的所述端，以及所述加寬部分的所述第二側(cè)壁為傾斜側(cè)壁。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體鰭片未與所述第二柵極接觸。