[發明專利]發光裝置有效
| 申請號: | 201611009289.9 | 申請日: | 2013-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN106910758B | 公開(公告)日: | 2020-05-15 |
| 發明(設計)人: | 黃靖恩;黃逸儒;吳志凌;羅玉云 | 申請(專利權)人: | 新世紀光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/46;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 | ||
本發明提供一種發光裝置,包括一基板、多個發光單元、一絕緣層、一電流分布層及一反射層。基板具有一上表面。發光單元配置在上表面上,且包括至少一第一發光二極管及至少一第二發光二極管。第一發光二極管的一第一側壁與第二發光二極管的一第二側壁彼此相鄰且定義出一暴露出部分上表面的凹部。絕緣層至少覆蓋第一側壁與第二側壁上。電流分布層覆蓋凹部且至少覆蓋部分第二發光二極管。反射層覆蓋電流分布層,且電性連接第一發光二極管與第二發光二極管。
技術領域
本發明是有關于一種發光裝置,且特別是有關于一種以發光二極管作為光源的發光裝置。
背景技術
隨著發光二極管(Light Emitting Diode,LED)的技術發展,發光二極管已逐漸地取代傳統燈泡而被應用于照明領域。由于現有的發光二極管采用直流電驅動,所以只能應用于直流電驅動的環境;或者,需要使用交流-直流電源轉換器以及變壓器將市用交流電轉換成低壓直流電,才能夠提供給發光二極管使用。
然而,一般的市售用電均為110V/220V的交流電,因此,現有采用直流電的發光二極管存在著使用不方便的問題。承上述,有研究者發明了交流發光二極管(AC LED)或是高壓發光二極管(HV LED),交流發光二極管無需額外的變壓器、整流器或驅動電路,直接使用交流電就可對交流發光二極管進行驅動,而高壓發光二極管,則無須轉換成低壓直流電,可使用一般直流電進行驅動,藉此減少變壓器所產生的能量損耗。
目前的交流/高壓發光二極管都是在尺寸相當微小的單晶片上形成發光二極管單元矩陣以及內連線線路,利用內連線線路串聯或并聯多個發光二極管單元,以使交流/高壓發光二極管具備可調整電壓及電流的特性。一般來說,內連線線路通常是采用透明導導電材料,如銦錫氧化物(ITO)所組成。由于此內連線線路僅可提供電性連接的功效,因此在相鄰兩發光二極管單元的橋接處的發光效率較低。
發明內容
本發明提供一種發光裝置,可增進相鄰兩發光二極管的橋接處的光反射效果,以提升整體發光裝置的發光效率。
本發明提出一種發光裝置,其包括一基板、多個發光單元、一絕緣層、一電流分布層及一反射層。基板具有一上表面。發光單元配置在基板的上表面上。發光單元包括至少一第一發光二極管以及至少一第二發光二極管。第一發光二極管的一第一側壁與第二發光二極管的一第二側壁彼此相鄰且定義出一凹部,且凹部暴露出基板的部分上表面。絕緣層至少覆蓋第一發光二極管的第一側壁與第二發光二極管的第二側壁上。電流分布層覆蓋凹部,且至少覆蓋部分第二發光二極管。反射層覆蓋電流分布層,且電性連接第一發光二極管與第二發光二極管。
在本發明的一實施例中,上述的發光裝置還包括一阻障層,配置在反射層上。
在本發明的一實施例中,上述的阻障層的材質包括鎢、鎢化鈦或鎢化鈦/鉑。
在本發明的一實施例中,上述的絕緣層還覆蓋被凹部所暴露出的基板的部分上表面,且電流分布層延伸覆蓋部分第一發光二極管。
在本發明的一實施例中,上述的電流分布層并未覆蓋第一發光二極管。
在本發明的一實施例中,上述的絕緣層還覆蓋被凹部所暴露出的基板的部分上表面。在本發明的一實施例中,上述的基板的上表面具有一凹陷,凹陷對應凹部設置,且絕緣層還延伸至凹陷內且覆蓋凹陷。
在本發明的一實施例中,上述的基板的上表面具有一凹陷,凹陷對應凹部設置,而絕緣層還延伸至凹陷內且未覆蓋凹陷的一底部,電流分布層還覆蓋凹陷的底部。
在本發明的一實施例中,上述的第一發光二極管包括一第一半導體元件層、一第一電極以及一第二電極,第一半導體元件層包括一第一半導體層、一第一發光層以及一第二半導體層。第一發光層配置在第一半導體層與第二半導體層之間。第一電極位于第一半導體層上,且第二電極位于第二半導體層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





