[發(fā)明專利]發(fā)光裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611009289.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-01-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106910758B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃靖恩;黃逸儒;吳志凌;羅玉云 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 新世紀(jì)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/15 | 分類號(hào): | H01L27/15;H01L33/46;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種發(fā)光裝置,其特征在于,包括:
一基板;
多個(gè)發(fā)光單元,配置在該基板上,該些發(fā)光單元包括:
至少一第一發(fā)光二極管;以及
至少一第二發(fā)光二極管,與該第一發(fā)光二極管彼此分離,部分該基板暴露于該第一發(fā)光二極管與該第二發(fā)光二極管之間;
一絕緣層,位于該基板上且至少覆蓋該第一發(fā)光二極管的一第一側(cè)壁與該第二發(fā)光二極管的一第二側(cè)壁;以及
一反射導(dǎo)電疊層,配置于該絕緣層上,并電性連接該第一發(fā)光二極管與該第二發(fā)光二極管,該反射導(dǎo)電疊層包括相互堆疊的一電流分布層及一反射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其特征在于,該絕緣層是由兩種以上不同折射率的材料所組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其特征在于,該絕緣層還覆蓋在該被暴露的部分該基板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其特征在于,該反射導(dǎo)電疊層還包括一阻障層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置,其特征在于,該反射層位于該絕緣層與該阻障層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置,其特征在于,該反射導(dǎo)電疊層電性連接該第一發(fā)光二極管的一第一半導(dǎo)體層與該第二發(fā)光二極管的一第二半導(dǎo)體層,而使該第一發(fā)光二極管與該第二發(fā)光二極管串聯(lián)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置,其特征在于,在該第二發(fā)光二極管的一剖面上,該反射導(dǎo)電疊層實(shí)質(zhì)上覆蓋整個(gè)該第二半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置,其特征在于,該反射導(dǎo)電疊層覆蓋該被暴露的部分該基板及至少部分該第一半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置,其特征在于,該反射導(dǎo)電疊層覆蓋至少部分該第一半導(dǎo)體層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置,其特征在于,該反射層覆蓋至少部分該第一半導(dǎo)體層。
11.一種發(fā)光裝置,其特征在于,包括:
一基板;
多個(gè)發(fā)光單元,配置于該基板上,該些發(fā)光單元包括:
至少一第一發(fā)光二極管;以及
至少一第二發(fā)光二極管,與該第一發(fā)光二極管彼此分離,部分該基板暴露于該第一發(fā)光二極管與該第二發(fā)光二極管之間;
一絕緣層,位于該基板上且至少覆蓋該第一發(fā)光二極管的一第一側(cè)壁與該第二發(fā)光二極管的一第二側(cè)壁上;以及
一反射導(dǎo)電疊層,配置于該絕緣層上,并電性連接該第一發(fā)光二極管與該第二發(fā)光二極管,該反射導(dǎo)電疊層包括:
一電流分布層,至少覆蓋部分該第二發(fā)光二極管;以及
多層導(dǎo)電層,覆蓋該電流分布層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置,其特征在于,該電流分布層延伸覆蓋部分該第一發(fā)光二極管。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置,其特征在于,該電流分布層延伸覆蓋暴露于該第一發(fā)光二極管與該第二發(fā)光二極管之間的該基板上。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置,其特征在于,該絕緣層更覆蓋暴露于該第一發(fā)光二極管與該第二發(fā)光二極管之間的該基板上。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





