[發(fā)明專利]納米多層活塞環(huán)涂層及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611000378.7 | 申請日: | 2016-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN108070858B | 公開(公告)日: | 2019-11-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉二勇;薛原;蒲吉斌;王永欣;王立平 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所 |
| 主分類號: | C23C28/02 | 分類號: | C23C28/02 |
| 代理公司: | 32256 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人: | 王鋒<國際申請>=<國際公布>=<進(jìn)入國 |
| 地址: | 315201 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多層 活塞環(huán)涂層 制備 多層涂層 活塞環(huán) 活塞環(huán)母材 過渡層 應(yīng)用 低摩擦系數(shù) 多弧離子鍍 沉積金屬 鍍膜設(shè)備 高結(jié)合力 高耐磨性 高硬度 可控性 疊設(shè) 強(qiáng)韌 金屬 一體化 生產(chǎn) | ||
1.一種納米多層活塞環(huán)涂層,所述納米多層活塞環(huán)涂層形成在活塞環(huán)母材上,其特征在于:所述納米多層活塞環(huán)涂層包括金屬Cr過渡層和CrCN/Cr納米多層涂層,所述CrCN/Cr多層涂層包括交替層疊的CrCN層和Cr層,所述CrCN層包括CrN、碳化鉻及單質(zhì)C相,所述Cr層包括金屬Cr以及CrN相,所述金屬Cr過渡層的厚度為0.1μm~2μm,所述CrCN層的厚度為0.1μm~5μm,所述Cr層的厚度為0.01μm~5μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米多層活塞環(huán)涂層,其特征在于:所述CrCN/Cr納米多層涂層的厚度為5μm~50μm。
3.如權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述納米多層活塞環(huán)涂層的制備方法,其特征在于包括:將活塞環(huán)母材置于鍍膜設(shè)備真空腔體中,采用多弧離子鍍技術(shù)在所述活塞環(huán)母材上依次沉積金屬Cr過渡層和CrCN/Cr納米多層涂層,直至形成所述納米多層活塞環(huán)涂層;
所述多弧離子鍍技術(shù)采用的工藝條件包括:Cr靶,靶電流為50A~100A,偏壓-20A~-100A,溫度350℃~450℃,工作氣體包括氬氣、氮?dú)饧盁N類氣;
其中,沉積形成所述金屬Cr過渡層的條件包括:氬氣流量100sccm~400sccm,氮?dú)饬髁?sccm,烴類氣流量0sccm,沉積時(shí)間5min~50min;
沉積形成CrCN層的條件包括:氬氣流量0sccm,氮?dú)饬髁?00sccm~800sccm,烴類氣流量10sccm~100sccm,沉積時(shí)間5min~50min;
沉積形成Cr層的條件包括:氬氣流量100sccm~400sccm,氮?dú)饬髁?sccm,烴類氣流量0sccm,沉積時(shí)間1min~10min。
4.如權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于包括:在沉積形成所述納米多層活塞環(huán)涂層的過程中,至少通過控制氬氣、氮?dú)馀c烴類氣的流量及沉積時(shí)間,實(shí)現(xiàn)對所述納米多層活塞環(huán)涂層中各結(jié)構(gòu)層的厚度及組分的調(diào)控。
5.如權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于包括:先對活塞環(huán)母材進(jìn)行清洗、除油、表面活化處理,之后采用多弧離子鍍技術(shù)在活塞環(huán)母材上形成所述納米多層活塞環(huán)涂層。
6.如權(quán)利要求5所述的制備方法,所述的活化處理包括:將活塞環(huán)母材置于鍍膜設(shè)備真空腔體中,并對所述鍍膜設(shè)備真空腔體進(jìn)行抽真空,之后將真空腔體內(nèi)的溫度升至350℃~450℃,并通入氬氣,且對活塞環(huán)母材施加-800V~-1200V的偏壓,從而引導(dǎo)氬離子對活塞環(huán)母材表面進(jìn)行轟擊活化。
7.如權(quán)利要求3-6中任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于:在所述鍍膜設(shè)備中設(shè)有相對安置的兩組以上Cr靶,所述Cr靶的純度在99.95%以上。
8.如權(quán)利要求3-6中任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于包括:在交替沉積CrCN層和Cr層的過程中,于工藝氣體切換使Cr靶保持在電弧放電狀態(tài)。
9.如權(quán)利要求3-6中任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于包括:在形成所述納米多層活塞環(huán)涂層之后,將所述鍍膜設(shè)備真空腔體的溫度降低至200℃以下,隨后充入氮?dú)鉅t冷至100℃以下,之后取出具有納米多層活塞環(huán)涂層的活塞環(huán)母材。
10.一種活塞環(huán),其特征在于包括:活塞環(huán)基體;以及,形成在活塞環(huán)基體上的、如權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的納米多層活塞環(huán)涂層。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C28-00 用不包含在C23C 2/00至C23C 26/00各大組中單一組的方法,或用包含在C23C小類的方法與C25D小類中方法的組合以獲得至少二層疊加層的鍍覆
C23C28-02 .僅為金屬材料覆層
C23C28-04 .僅為無機(jī)非金屬材料覆層





