[發明專利]一種處理水位檢測信號的電路

在審

• 申請號: 201610995015.5
• 申請日: 2016-11-11
• 公開（公告）號: CN108072418A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 曾國春
• 申請（專利權）人: 曾國春
• 主分類號: G01F23/00
• 分類號: G01F23/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種處理水位檢測信號的電路，其特征在于：包括NMOS管一（N1）、NMOS管二（N2）、NMOS管三（N3）、NMOS管四（N4）、電容一（C1）及多個串聯的P溝道增強型場效應管，NMOS管三（N3）、NMOS管四（N4）及多個P溝道增強型場效應管均為二極管連接的MOS管，所述NMOS管三（N3）的漏極和源極分別與NMOS管四（N4）漏極和NMOS管一（N1）漏極連接，NMOS管二（N2）的漏極與NMOS管四（N4）源極連接，NMOS管一（N1）源極和NMOS管二（N2）源極均接地，所述多個串聯的P溝道增強型場效應管的串聯支路兩端分別串聯電阻三（R3）和電阻四（R4）后與電容一（C1）并聯構成串并聯線路，該串并聯線路一端與NMOS管三（N3）漏極和NMOS管四（N4）漏極之間的線路連接，其另一端接地，所述NMOS管一（N1）和NMOS管二（N2） 兩者的柵極均與多個串聯的P溝道增強型場效應管和電阻四（R4）之間的線路連接；所述NMOS管一（N1）漏極和NMOS管三（N3）源極之間的線路上連接有信號輸入線路一（Ant1），NMOS管二（N2）漏極與NMOS管四（N4）漏極之間的線路上連接有信號輸入線路二（Ant2）。

2.根據權利要求1所述的一種處理水位檢測信號的電路，其特征在于：所述NMOS管一（N1）漏極和NMOS管三（N3）源極之間的線路上連接有電阻一（R1），所述信號輸入線路一（Ant1）連接在電阻一（R1）與NMOS管一（N1）漏極之間的線路上；所述NMOS管二（N2）漏極與NMOS管四（N4）源極之間的線路上連接有電阻二（R2），所述信號輸入線路二（Ant2）連接在電阻二（R2）與NMOS管二（N2）漏極之間的線路上。

3.根據權利要求1或2所述的一種處理水位檢測信號的電路，其特征在于：所述P溝道增強型場效應管的數量為五個。