[發明專利]提升響應頻率的可見光通信發射器件

有效

• 申請號: 201610993849.2
• 申請日: 2016-11-11
• 公開（公告）號: CN106788760B
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 郭志友;孫杰;黃晶;孫慧卿;黃鴻勇;黃涌;楊晛;張柱定;劉洋;郭敏;姚舜禹;衣新燕;范宣聰
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H04B10/50
• 分類號: H04B10/50;H04B10/116;H01F27/28;H01F27/32;H01L25/075;H01L33/40
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 邱奕才;鄭永泉

1.提升響應頻率的可見光通信發射器件，包括襯底，其特征在于，所述襯底上設置了電感線圈模塊，所述電感線圈模塊上設有由若干個LED芯片串聯而成的LED芯片矩陣，所述電感線圈模塊與LED芯片矩陣串聯，所述電感線圈模塊的電感值L滿足：L=1/(ω²C)，其中C為器件中由于LED芯粒所帶來的電容，ω為頻率，所述電感線圈模塊包括一個以上電感線圈，所述電感線圈的組成材料由內而外依次為Cr、Al、Cr、Ti、Ag。

2.根據權利要求1所述的提升響應頻率的可見光通信發射器件，其特征在于，所述電感線圈為螺旋狀，其橫截面為梯形，梯形的下底角為45度。

3.根據權利要求1所述的提升響應頻率的可見光通信發射器件，其特征在于，所述電感線圈模塊包括四個電感線圈，四個電感線圈排列成2×2的矩陣，四個電感線圈兩兩串聯再并聯。

4.根據權利要求1所述的提升響應頻率的可見光通信發射器件，其特征在于，所述LED芯片依次包括位于襯底保護層上的緩沖層、產生電子的n型層、多量子阱層、電子阻擋層、p型層、透明導電電極層和p型電極層。

5.根據權利要求4所述的提升響應頻率的可見光通信發射器件，其特征在于，所述p型電極層為多環p型電極層，由外至內分別為納米銀材料p電極、ZnO材料p電極和Al材料p電極。

6.根據權利要求5所述的提升響應頻率的可見光通信發射器件，其特征在于，所述Al材料p電極的厚度為2~5nm。

7.根據權利要求1所述的提升響應頻率的可見光通信發射器件，其特征在于，所述電感線圈模塊與LED芯片矩陣之間設有襯底保護層。

8.根據權利要求7所述的提升響應頻率的可見光通信發射器件，其特征在于，所述襯底保護層為Al₂O₃保護層。

9.根據權利要求1所述的提升響應頻率的可見光通信發射器件，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底。