[發(fā)明專利]一種銳鈦礦晶型二氧化鈦光催化薄膜及原子層沉積制備方法和應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610989315.2 | 申請日： | 2016-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN106629839A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 何丹農(nóng);盧靜;涂興龍;尹桂林;金彩虹;葛美英 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海納米技術(shù)及應(yīng)用國家工程研究中心有限公司 |
| 主分類號： | C01G23/053 | 分類號： | C01G23/053;C03C17/34;B01J21/06;C23C16/455;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海東方易知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所31121 | 代理人： | 唐莉莎 |
| 地址： | 200241 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 銳鈦礦晶型二 氧化 光催化 薄膜 原子 沉積 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種原子層沉積制備銳鈦礦晶型二氧化鈦光催化薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）以四氯化鈦和高純水為前驅(qū)源，將經(jīng)過統(tǒng)一清洗的基底在原子層沉積系統(tǒng)內(nèi)加熱至一定溫度范圍，在低真空環(huán)境下，以高純氮為載流氣體，通過重復(fù)四氯化鈦和水蒸氣沉積組合實現(xiàn)對薄膜厚度的控制；
（2）上述四氯化鈦和水蒸氣的沉積組合為2次四氯化鈦脈沖和1次水蒸氣脈沖，其沉積組合為四氯化鈦脈沖/高純氮沖洗/四氯化鈦脈沖/高純氮清洗/水蒸氣脈沖/高純氮清洗；
（3）四氯化鈦沉積時的載氣流量為150sccm，脈沖持續(xù)時間為0.2s，沖洗時間為2s；水蒸氣沉積時的載氣流量為200sccm脈沖持續(xù)時間為0.3s;沖洗時間為3s；
（4）沉積過程中低真空環(huán)境為6-10hPa，沉積溫度范圍為200-350℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述原子層沉積制備高質(zhì)量銳鈦礦晶型二氧化鈦光催化薄膜的方法，其特征在于，基底統(tǒng)一清洗的流程為工業(yè)基本清洗過程，用異丙醇、去離子水在超聲波清洗器中依次超聲后沖洗，后用氮氣槍吹干。
3.一種銳鈦礦晶型二氧化鈦光催化薄膜，其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求1或2所述方法制備得到。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述銳鈦礦晶型二氧化鈦光催化薄膜在光催化的應(yīng)用。
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