[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201610984607.7 | 申請日: | 2016-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN106711346B | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發明(設計)人: | 蔡奇哲;林柏青;吳威諺;許惠珍 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 駱希聰 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 阻障層 第一金屬層 金屬圍墻 第二金屬層 第二基板 第一基板 顯示介質 顯示裝置 金屬層 開口 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
一第一基板和一第二基板;
一第一阻障層,設置于該第二基板上;
一第二阻障層,設置于該第一基板上;
一顯示介質,設置于該第一阻障層和該第二阻障層之間;以及
一金屬圍墻(metal enclosing wall),設置于該第一基板和該第二基板之間,該金屬圍墻圍繞該顯示介質,其中該金屬圍墻包括:
一第一金屬層,位于該第二阻障層上,其中該第一金屬層具有多個第一開口;
一第二金屬層,位于該第一阻障層上;及
一第三金屬層,形成于該第一金屬層和該第二金屬層之間。
2.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,該第二金屬層具有多個第二開口。
3.如權利要求2所述的顯示裝置,更包括:
一薄膜晶體管層,設置于該第一阻障層和該顯示介質之間;以及
一扇出(fan-out)結構,設置于該第二基板和該第二金屬層之間,其中該扇出結構具有多個第三開口,該多個第三開口位于該第二金屬層的該多個第二開口的下且對應于該多個第二開口。
4.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,該第三金屬層的一材料包括一金屬,該金屬滿足以下條件:1<RPB<2,其中RPB=(Moxide*ρmetal)/(n*Mmetal*ρoxide),Mmetal為該金屬的原子量,Moxide為該金屬的一金屬氧化物的分子量,ρmetal為該金屬的密度,ρoxide為該金屬的該金屬氧化物的密度,n為該金屬的該金屬氧化物的單個分子中的原子數目。
5.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,該第一金屬層的一材料和該第二金屬層的一材料分別包括銅。
6.如權利要求1所述的顯示裝置,更包括:
一無機阻障層,鄰接該金屬圍墻的一側壁。
7.如權利要求1所述的顯示裝置,更包括:
一充填材料,充填于該金屬圍墻內并覆蓋該顯示介質,其中該充填材料具有多個親水性官能基相鄰于該第一阻障層和該第二阻障層,且該充填材料具有多個疏水性官能基相鄰于該顯示介質。
8.一種顯示裝置,包括:
一第一基板和一第二基板;
一第一阻障層,設置于該第二基板上;
一第二阻障層,設置于該第一基板上;
一顯示介質,設置于該第一阻障層和該第二阻障層之間;以及
一金屬圍墻,設置于該第一基板和該第二基板之間,該金屬圍墻圍繞該顯示介質,其中該金屬圍墻包括:
一第一金屬層,位于該第二阻障層上;
一第二金屬層,位于該第一阻障層上;
一第三金屬層,形成于該第一金屬層和該第二金屬層之間;及
一第一共晶層(cocrystallization layer),形成于該第一金屬層和該第三金屬層之間;
一第二共晶層,形成于該第二金屬層和該第三金屬層之間。
9.如權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,該第一共晶層和該第二共晶層各自分別具有140~230℃的一共晶溫度。
10.如權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,該第一共晶層和該第二共晶層各自具有2~5埃的一厚度。
11.如權利要求8所述的顯示裝置,更包括:
一薄膜晶體管層,設置于該第一阻障層和該顯示介質之間;以及
一扇出結構,設置于該第二基板和該第二金屬層之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
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H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





