[發(fā)明專利]Ni、S共摻雜TiO2薄膜及其應(yīng)用和制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610983425.8 | 申請日： | 2016-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN106521494B | 公開（公告）日： | 2018-09-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉崢;李海瑩;李慶偉;黃秋梅 | 申請（專利權(quán)）人： | 桂林理工大學(xué) |
| 主分類號： | C23C28/00 | 分類號： | C23C28/00;C25D3/56;C25D5/18;C25D15/00;C23C18/12;C23C18/04;C23F13/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 541004 廣西壯*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | ni 摻雜 tio2 薄膜 及其 應(yīng)用 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C28-00 用不包含在C23C 2/00至C23C 26/00各大組中單一組的方法，或用包含在C23C小類的方法與C25D小類中方法的組合以獲得至少二層疊加層的鍍覆
C23C28-02 .僅為金屬材料覆層
C23C28-04 .僅為無機(jī)非金屬材料覆層
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C28-00 用不包含在C23C 2/00至C23C 26/00各大組中單一組的方法，或用包含在C23C小類的方法與C25D小類中方法的組合以獲得至少二層疊加層的鍍覆
C23C28-02 .僅為金屬材料覆層
C23C28-04 .僅為無機(jī)非金屬材料覆層
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