[發明專利]抗PID電池片的制備方法及光伏組件

有效

• 申請號: 201610969074.5
• 申請日: 2016-11-04
• 公開（公告）號: CN106328723B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 吳娟;梁杭偉;李家蘭;葉雄新;彭華
• 申請（專利權）人: 東莞南玻光伏科技有限公司;中國南玻集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0236
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 徐春祺

1.一種抗PID電池片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供晶體硅片；

將所述晶體硅片置于臭氧氣氛中進行初步氧化，在所述晶體硅片表面形成第一SiO₂薄膜；

將初步氧化后的晶體硅片置于化學氣相沉積設備的腔體中，真空條件下，以含有N₂O的氣體作為反應氣體在所述第一SiO₂薄膜上沉積第二SiO₂薄膜；

向所述腔體中通入第一混合氣體，其中，所述第一混合氣體中含有體積比為1:3～6的SiH₄和NH₃，在所述第二SiO₂薄膜上沉積第一SiN_x薄膜；以及

向所述腔體中通入第二混合氣體，其中，所述第二混合氣體中含有體積比為1:7～9的SiH₄和NH₃，在所述第一SiN_x薄膜上沉積第二SiN_x薄膜，得到抗PID電池片；

所述將所述晶體硅片置于臭氧氣氛中進行初步氧化的操作具體為：將所述晶體硅片置于臭氧氧化設備中，向所述臭氧氧化設備中通入氧氣，在紫外光照射下對所述晶體硅片進行初步氧化；

所述以含有N₂O的氣體作為反應氣體在所述第一SiO₂薄膜上沉積第二SiO₂薄膜的操作中，具體為采用等離子體增強化學氣相沉積法，濺射功率為4000W～7000W，反應溫度為400℃～480℃，所述含有N₂O的氣體僅為N₂O，所述N₂O的氣流量為5000sccm～10000sccm；

向所述腔體中通入第一混合氣體的操作之前，先抽去所述腔體中的N₂O；

所述第一SiO₂薄膜的厚度為0.5nm～2nm；

所述第二SiO₂薄膜的厚度為1nm～5nm。

2.根據權利要求1所述的抗PID電池片的制備方法，其特征在于，所述第一混合氣體中含有體積比為1:4～5的SiH₄和NH₃。

3.根據權利要求1所述的抗PID電池片的制備方法，其特征在于，所述第二混合氣體中含有體積比為1:8～9的SiH₄和NH₃。

4.根據權利要求1所述的抗PID電池片的制備方法，其特征在于，所述以含有N₂O的氣體作為反應氣體在所述第一SiO₂薄膜上沉積第二SiO₂薄膜的操作之前，還包括采用含N₂的氣體吹掃初步氧化后的所述晶體硅片。

5.根據權利要求1所述的抗PID電池片的制備方法，其特征在于，將所述晶體硅片置于臭氧氣氛中進行初步氧化的操作之前，還包括對所述晶體硅片進行預處理，所述預處理包括對所述晶體硅片制絨、擴散以及蝕刻清洗。

6.一種光伏組件，其特征在于，包括如權利要求1～5任一項所述的抗PID電池片的制備方法制備得到的抗PID電池片。