[發明專利]高帶外抑制的多層基片集成波導濾波器

在審

• 申請號: 201610967359.5
• 申請日: 2016-10-31
• 公開（公告）號: CN106602190A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 程飛;張義林;張敏;徐克興
• 申請（專利權）人: 成都九洲迪飛科技有限責任公司
• 主分類號: H01P1/208
• 分類號: H01P1/208
• 代理公司: 成都立信專利事務所有限公司51100
• 代理人: 馮忠亮

1.高帶外抑制的多層基片集成波導濾波器，其特征在于，包括從上到下依次層疊的第一金屬層（1）、第一介質層（2）、第二金屬層（3）、第二介質層（4）、第三金屬層（5），第一、第二、第三金屬層（1、3、5）所用的材料是銅或金或銀或錫或是上述兩種金屬構成的復合層，第一、第二介質層（2）、（4）為普通的高頻電路基片或LTCC燒結成的基片或半導體基片；第一金屬層（1）包含圓形的第一諧振腔表層（11），及與其相連的長方形的第一輸入輸出饋線（13），第一輸入輸出饋線（13）兩側各有一長方形的第一耦合槽（12），第一耦合槽（12）在第一諧振腔表層（11）腐蝕出來，位于第一輸入輸出饋線（13）與第一諧振腔表層（11）的連接處；第一介質層（2）為長方形，第一金屬化通孔陣列（23）貫穿第一介質層（2），圍成圓形，并在第一輸入輸出饋線（13）的下方開口形成第一耦合窗（21），第一微擾通孔（22）是該圓形直徑上的兩個通孔，并且到圓心的距離相等，其所在直徑與第一輸入輸出饋線（13）的夾角是45度；第三金屬層（3）為長方形，在其中心位置腐蝕出長方形的耦合孔（31），耦合孔（31）與兩個第一微擾通孔（22）的連線是平行的；第二介質層（4）為長方形，第二金屬化通孔陣列（43）貫穿第二介質層（4），圍成圓形，并在第二輸入輸出饋線（53）的上方開口形成第二耦合窗（41），第二微擾通孔（42）是該圓形直徑上的兩個通孔，并且到圓心的距離相等，其所在直徑與第一微擾通孔（22）所在的直徑是平行的；第三金屬層（5）包含圓形的第二諧振腔表層（51），及與之相連的長方形的第二輸入輸出饋線（53），第二諧振腔表層（51）與第一諧振腔表層（11）的半徑相同，第二輸入輸出饋線（53）與第一輸入輸出饋線（13）是平行的，第二輸入輸出饋線（53）兩側各有一長方形的第二耦合槽（52），第二耦合槽（52）是在第二諧振腔表層（51）腐蝕出來的，位于第二輸入輸出饋線（53）與第二諧振腔表層（51）的連接處，上述所有圓的圓心和長方形的耦合孔（31）的中心在同一垂線上，第一、二金屬化通孔陣列（23、43）圍成的圓形的直徑小于第一、二諧振腔表層的直徑。