[發明專利]生長在GaAs襯底上n?InGaAs薄膜及其制備方法在審
| 申請號： | 201610966099.X | 申請日： | 2016-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN106449811A | 公開（公告）日： | 2017-02-22 |
| 發明（設計）人： | 李國強;張曙光;王凱誠 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L31/0304 | 分類號： | H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司44245 | 代理人： | 陳文姬 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生長 gaas 襯底 ingaas 薄膜 及其 制備 方法 | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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