[發(fā)明專利]一種RbZn2

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610965409.6
• 申請(qǐng)日: 2016-11-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108018606A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳創(chuàng)天;黃倩;李如康;劉麗娟;王曉洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): C30B29/22
• 分類號(hào): C30B29/22;C30B1/10;C30B9/00;G02B1/00
• 代理公司: 北京方安思達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11472
• 代理人: 王宇楊;李彪

本發(fā)明涉及RbZn2BO3Cl2非線性光學(xué)晶體及制備和應(yīng)用，該晶體不具備有對(duì)稱中心，屬三方晶系，空間群為R32，其晶胞參數(shù)為：α＝β＝90°,γ＝120°；通過(guò)自發(fā)成核方法在自助熔劑體系中得到單晶，通過(guò)高溫固相合成法得到固相粉末；采用高溫熔體自發(fā)結(jié)晶法生長(zhǎng)得到的單晶成薄片狀且晶體透明無(wú)包裹，所得晶體具有比較寬的透光波段，在300?2000nm有很高的透過(guò)率，且紫外截止邊低于200nm；粉末倍頻效應(yīng)測(cè)試顯示，該晶體可實(shí)現(xiàn)相位匹配且倍頻效應(yīng)與KBe2BO3F2晶體相當(dāng)；并具有硬度較大，機(jī)械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等優(yōu)點(diǎn)；該晶體可用于制備非線性光學(xué)器件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于非線性光學(xué)晶體及制備方法和用途領(lǐng)域，特別涉及一種RbZn2BO3Cl2非線性光學(xué)晶體及制備方法和用途。

背景技術(shù)

具有非線性光學(xué)效應(yīng)的晶體稱為非線性光學(xué)晶體。這里非線性光學(xué)效應(yīng)是指倍頻、和頻、差頻、參量放大等效應(yīng)。只有不具有對(duì)稱中心的晶體才可能有非線性光學(xué)效應(yīng)。利用晶體的非線性光學(xué)效應(yīng)，可以制成二次諧波發(fā)生器，上、下頻率轉(zhuǎn)換器，光參量振蕩器等非線性光學(xué)器件。激光器產(chǎn)生的激光可通過(guò)非線性光學(xué)器件進(jìn)行頻率轉(zhuǎn)換，從而獲得更多有用波長(zhǎng)的激光，使激光器得到更廣泛的應(yīng)用。目前在紫外領(lǐng)域所發(fā)現(xiàn)的重要晶體主要有BBO(β-SnB2O4)、LBO(LiB3O5)、CBO(CsB3O5)、CsLiB6O10(CLBO)、KTP(KTiOPO4)等晶體，其中可以在深紫外區(qū)域應(yīng)用的只有KBBF族晶體，但是由于該類晶體在生長(zhǎng)過(guò)程中原料的毒性和層狀習(xí)性導(dǎo)致的生長(zhǎng)困難直接影響了實(shí)際使用。因此尋找優(yōu)良性能的紫外波段非線性光學(xué)晶體材料已成為當(dāng)前非線性光學(xué)材料研究領(lǐng)域的難點(diǎn)和前沿方向之一。

我們?cè)敿?xì)研究了非中心對(duì)稱的RbZn2BO3Cl2的多晶粉末及其單晶結(jié)構(gòu)，而且首次研究了該晶體的非線性光學(xué)性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的在于提供一種RbZn2BO3Cl2非線性光學(xué)晶體；

本發(fā)明另一目的在于提供RbZn2BO3Cl2非線性光學(xué)晶體的制備方法；

本發(fā)明再一目的在于提供RbZn2BO3Cl2非線性光學(xué)晶體的用途。