[發明專利]一種觸摸屏用雙層ITO導電薄膜及其制備方法

在審

• 申請號: 201610962342.0
• 申請日: 2016-11-04
• 公開（公告）號: CN107863182A
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 溫泉
• 申請（專利權）人: 江蘇日久光電股份有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00;G06F3/044
• 代理公司: 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙)31297
• 代理人: 周高

技術領域

本發明屬于觸摸屏導電薄膜技術領域，特別涉及一種觸摸屏用雙層ITO導電薄膜及其制備方法。

背景技術

觸摸屏在手機、平板電腦及其它顯示屏上獲得了極大的應用，其作為一種顯著改善人機操作界面的輸入設備，具有直觀簡單、反應速度快、節省空間和易于操作交流等優點。觸摸屏制備中常用到ITO導電薄膜，ITO導電薄膜是指采用磁控濺射的方法，在透明有機薄膜材料上濺射透明ITO導電薄膜鍍層得到的透明導電膜。ITO（Indium Tin Oxides，銦錫金屬氧化物），作為一種采用的N型氧化物半導體，被廣泛地應用于觸摸屏領域。現有的ITO導電薄膜，由于其厚度對結晶過程的影響，存在電阻率高、光透過率差和使用壽命短等問題。

發明內容

基于此，本發明提供一種觸摸屏用雙層ITO導電薄膜及其制備方法，其具有電阻率低、光透過率高和使用壽命長等優點。

本發明的技術方案是：一種觸摸屏用雙層ITO導電薄膜，包括基片和分別沉積在基片兩側的上ITO電極層和下ITO電極層；所述上ITO電極層包括依次層疊設置且厚度依次增大的第一ITO電極層、第二ITO電極層和第三ITO電極層，第三ITO電極層沉積在所述的基片上；所述下ITO電極層包括依次層疊設置且厚度依次減小的第四ITO電極層、第五ITO電極層和第六ITO電極層，第四ITO電極層沉積在所述的基片上。

其中，基片不導電，通過在基片兩側設計上ITO電極層和下ITO電極層，構成電容式觸摸屏用膜，通過將上ITO電極層設計成厚度依次減小的第三ITO電極層、第二ITO電極層和第一ITO電極層，下ITO電極層設計成厚度依次減小的第四ITO電極層、第五ITO電極層和第六ITO電極層，避免厚度對ITO膜結晶過程的影響，完善ITO膜的晶相結構，以提高整個ITO導電薄膜的光透過率，降低其電阻率，并增加其使用壽命，任何一點可承受8千萬次以上的觸摸。

本發明中，優選地，所述基片厚度為150-200微米，基片采用聚對苯二甲酸乙二醇脂樹脂。聚對苯二甲酸乙二醇脂樹脂具有較好的光透性，但光透性隨厚度增加而降低，厚度設計為150-200微米，既能滿足光透性要求，又能滿足強度和韌性要求，達到光透性和使用壽命的最佳組合。

在優選的實施例中，所述第一ITO電極層和第六ITO電極層外均設有絕緣的電極保護層。電極保護層的設計進一步提升了使用壽命。

進一步地，所述第三ITO電極層和第四ITO電極層的厚度相同，為14-16納米；所述第二ITO電極層和第五ITO電極層的厚度相同，為11-13納米；所述第一ITO電極層和第六ITO電極層的厚度相同，為8-10納米。基片兩側的ITO電極層采用對稱式的結構設計，并嚴格控制各層膜的厚度，進一步降低厚度對結晶過程的影響，以降低其電阻率并提升其光透性。

本發明還提供一種觸摸屏用雙層ITO導電薄膜的制備方法，包括如下過程：

步驟A、將基片放置于磁控濺射設備的裝載室，密封后進行抽真空；

步驟B、基片加熱到205℃-215℃后運送至磁控濺射設備的濺射室，采用磁控濺射方式在基片的頂面進行第一次沉積，得到14-16納米厚的第三ITO電極層，運送至冷卻室冷卻至室溫；

步驟C、將沉積有第三ITO電極層的基片加熱至215℃-225℃后運送至磁控濺射設備的濺射室，采用磁控濺射方式在第三ITO電極層的表面進行沉積，得到11-13納米厚的第二ITO電極層，運送至冷卻室冷卻至室溫；

步驟D、將沉積有第二ITO電極層的基片加熱至225℃-235℃后運送至磁控濺射設備的濺射室，采用磁控濺射方式在第二ITO電極層的表面進行沉積，得到8-10納米厚的第一ITO電極層，運送至冷卻室冷卻至室溫；

步驟E、翻轉所述沉積有第一ITO電極層的基片，將其加熱至205℃-215℃后運送至磁控濺射設備的濺射室，采用磁控濺射方式在基片的頂面進行沉積，得到14-16納米厚的第四ITO電極層，運送至冷卻室冷卻至室溫；

步驟F、將沉積有第四ITO電極層的基片加熱至215℃-225℃后運送至磁控濺射設備的濺射室，采用磁控濺射方式在第四ITO電極層的表面進行沉積，得到11-13納米厚的第五ITO電極層，運送至冷卻室冷卻至室溫；

步驟G、將沉積有第五ITO電極層的基片加熱至225℃-235℃后運送至磁控濺射設備的濺射室，采用磁控濺射方式在第五ITO電極層的表面進行沉積，得到8-10納米厚的第六ITO電極層，運送至冷卻室冷卻至室溫；

步驟H、將步驟G中冷卻后的基片運送至卸載室進行卸片。