[發(fā)明專利]一種觸摸屏用雙層ITO導(dǎo)電薄膜及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610962342.0
• 申請日: 2016-11-04
• 公開（公告）號: CN107863182A
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 溫泉
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇日久光電股份有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00;G06F3/044
• 代理公司: 上海宏京知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31297
• 代理人: 周高

1.一種觸摸屏用雙層ITO導(dǎo)電薄膜，其特征在于：包括基片和分別沉積在基片兩側(cè)的上ITO電極層和下ITO電極層；所述上ITO電極層包括依次層疊設(shè)置且厚度依次增大的第一ITO電極層、第二ITO電極層和第三ITO電極層，第三ITO電極層沉積在所述的基片上；所述下ITO電極層包括依次層疊設(shè)置且厚度依次減小的第四ITO電極層、第五ITO電極層和第六ITO電極層，第四ITO電極層沉積在所述的基片上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏用雙層ITO導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述基片厚度為150-200微米，基片采用聚對苯二甲酸乙二醇脂樹脂。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的觸摸屏用雙層ITO導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述第一ITO電極層和第六ITO電極層外均設(shè)有絕緣的電極保護(hù)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的觸摸屏用雙層ITO導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述第三ITO電極層和第四ITO電極層的厚度相同，為14-16納米；所述第二ITO電極層和第五ITO電極層的厚度相同，為11-13納米；所述第一ITO電極層和第六ITO電極層的厚度相同，為8-10納米。

5.一種如權(quán)利要求4所述的觸摸屏用雙層ITO導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下過程：

步驟A、將基片放置于磁控濺射設(shè)備的裝載室，密封后進(jìn)行抽真空；

步驟B、基片加熱到205℃-215℃后運送至磁控濺射設(shè)備的濺射室，采用磁控濺射方式在基片的頂面進(jìn)行第一次沉積，得到14-16納米厚的第三ITO電極層，運送至冷卻室冷卻至室溫；

步驟C、將沉積有第三ITO電極層的基片加熱至215℃-225℃后運送至磁控濺射設(shè)備的濺射室，采用磁控濺射方式在第三ITO電極層的表面進(jìn)行沉積，得到11-13納米厚的第二ITO電極層，運送至冷卻室冷卻至室溫；

步驟D、將沉積有第二ITO電極層的基片加熱至225℃-235℃后運送至磁控濺射設(shè)備的濺射室，采用磁控濺射方式在第二ITO電極層的表面進(jìn)行沉積，得到8-10納米厚的第一ITO電極層，運送至冷卻室冷卻至室溫；

步驟E、翻轉(zhuǎn)所述沉積有第一ITO電極層的基片，將其加熱至205℃-215℃后運送至磁控濺射設(shè)備的濺射室，采用磁控濺射方式在基片的頂面進(jìn)行沉積，得到14-16納米厚的第四ITO電極層，運送至冷卻室冷卻至室溫；

步驟F、將沉積有第四ITO電極層的基片加熱至215℃-225℃后運送至磁控濺射設(shè)備的濺射室，采用磁控濺射方式在第四ITO電極層的表面進(jìn)行沉積，得到11-13納米厚的第五ITO電極層，運送至冷卻室冷卻至室溫；

步驟G、將沉積有第五ITO電極層的基片加熱至225℃-235℃后運送至磁控濺射設(shè)備的濺射室，采用磁控濺射方式在第五ITO電極層的表面進(jìn)行沉積，得到8-10納米厚的第六ITO電極層，運送至冷卻室冷卻至室溫；

步驟H、將步驟G中冷卻后的基片運送至卸載室進(jìn)行卸片。

6.一種如權(quán)利要求5所述的觸摸屏用雙層ITO導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟B、C、D、E、F和G中，磁控濺射設(shè)備所用靶材由質(zhì)量比為94：6的氧化銦和氧化錫組成。