[發明專利]低蒸汽壓氣溶膠輔助的CVD

有效

• 申請號: 201610959770.8
• 申請日: 2016-10-27
• 公開（公告）號: CN106967962B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 蘭加·拉奧·阿內帕利;奈爾施·奇爾曼奧·巴古;普莉娜·松特海利亞·古拉迪雅;羅伯特·楊·維塞
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/448
• 分類號: C23C16/448
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種用于在基板上形成膜的基板處理腔室，所述基板處理腔室包括：

載氣源；

氣溶膠發生器，所述氣溶膠發生器被構造為從加熱的載氣源中接收加熱的載氣，并且被構造為從冷凝物質前驅物來產生氣溶膠液滴；

前驅物導管，所述前驅物導管被構造為接收所述氣溶膠液滴；

DC電源；

第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極被構造為從所述DC電源接收差分電壓，其中所述第一電極和所述第二電極是平行的，并且在所述第一電極和所述第二電極之間形成間隙，其中通過用來自所述DC電源的所述差分電壓對所述第一電極和所述第二電極進行偏置而將所述差分電壓施加在所述第一電極和所述第二電極之間，用以形成從所述第一電極直接指向所述基板并且直接指向所述第二電極的電場且減小所述氣溶膠液滴的大小，并且其中所述氣溶膠液滴向下穿過所述第一電極中的穿孔、穿過所述電場、接著朝向所述第二電極中的穿孔，同時將所述電場施加至所述氣溶膠液滴，并且接著所述氣溶膠液滴流過所述第二電極中的穿孔而進入基板處理區域，所述氣溶膠液滴不帶電荷；

基板基座，所述基板基座設置在所述腔室內的所述基板處理區域內，其中所述基板基座被構造為在所述膜的處理過程中支撐所述基板。

2.根據權利要求1所述的基板處理腔室，其特征在于，所述差分電壓被選擇為形成具有在500V/cm與20000V/cm之間的幅值的電場。

3.根據權利要求1所述的基板處理腔室，其特征在于，差分電壓在100伏與2千伏之間。

4.根據權利要求1所述的基板處理腔室，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極是水平的。

5.根據權利要求1所述的基板處理腔室，其特征在于，所述基板平行于所述第一電極和所述第二電極兩者。

6.根據權利要求1所述的基板處理腔室，進一步包括：壓電式換能器，與所述冷凝物質前驅物直接接觸。

7.根據權利要求1所述的基板處理腔室，其特征在于，所述冷凝物質前驅物是液體前驅物。

8.根據權利要求1所述的基板處理腔室，其特征在于，所述冷凝物質前驅物是通過將固體前驅物溶解于溶劑中形成的。

9.一種處理基板上的層的方法，所述方法包括：

將所述基板放入基板處理腔室的基板處理區域中；

將固體前驅物溶解于溶劑中，用以在氣溶膠發生器內形成前驅物溶液；

使載氣流入所述氣溶膠發生器中，用以產生氣溶膠液滴；

使所述氣溶膠液滴向下穿過頂部電極中的穿孔、穿過所述頂部電極下方的電場，并且接著朝向底部電極中的穿孔，其中所述氣溶膠液滴不帶電荷；

通過用來自DC電源的差分電壓對所述頂部電極和所述底部電極進行偏置，將所述電場施加至所述氣溶膠液滴，其中將所述差分電壓施加在所述頂部電極與所述底部電極之間用以減小所述氣溶膠液滴的大小；

使所述氣溶膠液滴流過所述底部電極中的穿孔而進入所述基板處理區域中；以及

通過與所述氣溶膠液滴的化學反應來蝕刻所述基板上的所述層。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述層由兩種元素組成。

11.根據權利要求9所述的方法，進一步包括使第二前驅物流入所述基板處理區域中，用以從所述層移除一個單層。

12.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述電場是指向所述基板的DC電場。

13.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述電場具有在500V/cm與20000V/cm之間的幅值。