[發明專利]數?;旌想娐?、SoC芯片及模擬電路修調方法有效
| 申請號: | 201610956856.5 | 申請日: | 2016-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN108023585B | 公開(公告)日: | 2021-12-24 |
| 發明(設計)人: | 胡如波;施樂寧;羅鑫 | 申請(專利權)人: | 福州瑞芯微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/003 | 分類號: | H03K19/003 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 高彥 |
| 地址: | 350003 福建省*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 數模 混合 電路 soc 芯片 模擬 方法 | ||
本發明的數模混合電路、SoC芯片及模擬電路修調方法,數?;旌想娐钒ǎ耗M電路,用于處理模擬信號;修調電路,連接模擬電路,用于根據修調信息修調模擬電路的電路參數;存儲器,存儲修調信息;數字電路,連接修調電路及存儲器,其包括:寄存器,用于存儲數字電路讀取自存儲器的修調信息以供修調電路讀取來執行修調,修調信息的尾部包含特定信息,數字電路在將特定信息寫入寄存器后鎖定寄存器以令其內的修調信息不能被修改;采用本發明的技術方案,正確的修調結果被妥善保護了,不會再被誤操作修改掉;并且當驗證修調邏輯時,可以直接對寄存器進行操作,而不需要從存儲器開始進行修調邏輯單元的驗證,大大方便了修調驗證。
技術領域
本發明涉及集成電路設計技術領域,特別是涉及數模混合電路、SoC芯片及模擬電路修調方法。
背景技術
使用OTP(one time program)單元或Flash存儲模擬修調信息,芯片上電后,數字電路讀取OTP或Flash中的修調信息,并且將修調單元的邏輯信息傳遞給模擬電路,模擬電路根據修調控制邏輯調整模擬電路的參數。
這樣導致要驗證修調信息是否正確,需要對OTP中的每一個修調邏輯進行改寫操作。增加了修調信息驗證的復雜性,特別是當模擬的修調比特數比較多的時候。
若數字電路設計成修調結束后,修調電路的功能仍然開放,則軟件運行時有可能會對修調電路誤操作,使得之前正確的修調結果被改變。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供數?;旌想娐?、SoC芯片及模擬電路修調方法,通過硬件設計來鎖定寄存器內修調信息,從而解決現有技術中的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種數?;旌想娐罚ǎ耗M電路,用于處理模擬信號;修調電路,連接所述模擬電路,用于根據修調信息修調所述模擬電路的電路參數;存儲器,存儲所述修調信息;數字電路,連接所述修調電路及存儲器,其包括:寄存器,用于存儲所述數字電路讀取自所述存儲器的修調信息以供所述修調電路讀取來執行所述修調,所述修調信息的尾部包含特定信息,所述數字電路在將特定信息寫入所述寄存器中某一位后鎖定整個所述寄存器以令其內的修調信息不能被修改。
于本發明的一實施例中,在所述特定信息寫入所述寄存器之前,所述寄存器設置成能寫入所述修調信息,所述修調電路根據所述寄存器的修調信息進行所述修調,并根據模擬電路對應的修調結果來驗證所述已寫入寄存器的修調信息正確與否。
于本發明的一實施例中,所述存儲器的類型包括非揮發性記憶體。
于本發明的一實施例中,所述非揮發性記憶體包括:閃存或一次可編程記憶體。
于本發明的一實施例中,所述特定信息位于所述修調信息的最后一比特位。
于本發明的一實施例中,述數字電路根據特定信息對應寄存器位設置整個所述寄存器為只讀狀態以鎖定整個所述寄存器以令其內的修調信息不能被修改。
于本發明的一實施例中,所述電路參數的類型包括:電流或電壓。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種SoC芯片,包括所述的數模混合電路。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種模擬電路修調方法,應用于所述的數?;旌想娐罚龇椒òǎ核鰯底蛛娐穼⒆x取自所述存儲器的修調信息寫入所述寄存器,以供所述修調電路讀取來執行所述修調;所述數字電路在將特定信息寫入所述寄存器中某一位后鎖定整個所述寄存器以令其內的修調信息不能被修改。
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