[發明專利]一種DFN二極管的制造工藝

在審

• 申請號: 201610950028.0
• 申請日: 2016-10-26
• 公開（公告）號: CN107993945A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 吳善焜
• 申請（專利權）人: 汕尾德昌電子有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司11100
• 代理人: 劉秀青,熊國裕

技術領域

本發明涉及一種DFN二極管的制造工藝，屬于二極管生產技術領域。

背景技術

在電子產業界，二極管是各種電子產品的基本元件，隨著各種電子產品的小型化、輕便化發展，對二極管的小型化要求也日益突出，DFN二極管(英文全稱為Diode Flat Non-lead，中文名稱為無引腳表面裝貼二極管)就是因應這種要求而發展起來的。如圖1所示，DFN二極管由兩條引腳2、一顆晶片1(焊接于其中一條引腳2上)、一條焊線3(連接晶片和另一條引腳2)和將上述各部分封裹起來的注塑膠4組成。

由于DFN二極管的體積很小，使其在電子產品應用過程中與其他電子器件的連接觸點--引腳面積也很小，這就對其引腳面的可焊接性提出很高要求。由于產品體積很小，在注塑封裝過程中，由于高壓的作用，注塑膠會泄露到框架引腳材料表面，從而影響產品引腳面的可焊接性，進而影響產品的最終使用。為解決這一問題，目前生產采取由引線框架供應商提供已在背面預貼塑膠膜的引線框架，框架貼膜后在注塑過程中即可避免注塑材料泄漏至封裝的引線腳上造成產品使用過程中焊接不良。但由于這種膠膜可承受的最高溫度為200℃，因此，晶片焊接流必須使用銀漿粘接的方式，且溫度必須控制在200℃以下，否則膠膜將很容易受到損壞。

如圖2所示，銀漿粘接工藝包括：通過點膠裝置5將銀漿6布置在背部預貼有塑膠膜7的框架表面；然后將晶片8置于銀漿上，進行粘接。由于銀漿粘接工藝需要應用一項點膠流程，晶片焊接的流程也會變得更加緩慢，而整個生產的效率也會變得更低。另外，銀漿粘接工藝在晶片焊接的過程中，由于焊劑蒸發，會產生離子污染，進而需要在晶片焊接之后增加離子清洗的流程。

發明內容

本發明提供一種DFN二極管的制造工藝，提高生產效率，降低生產成本。

為實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

一種DFN二極管的制造工藝，包括以下步驟：

(1)晶片切割：將圓形晶片板切割成方形晶片；

(2)晶片焊接：將方形晶片及引線框架放在晶片焊接機上進行共晶焊接；

(3)貼膜：在引線框架底部貼上耐熱膠膜；

(4)焊線：將焊有晶片的引線框架放入焊線機中在晶片與引線腳之間焊上導電連接線；

(5)注塑：通過注塑模具用注塑膠將晶片-焊線-引線框架組合體進行封裹形成二極管體；

(6)電鍍：在引線腳表面鍍上一層錫；

(7)分離：將二極管體從條狀引線框架上切割分離成獨立小單元；

(8)測試上帶：對二極管進行測試并將合格二極管用裝料帶進行包裝。

其中，所述步驟(2)中共晶焊接的溫度為400±20℃。

其中，所述步驟(4)中焊接導電連接線的焊接溫度低于200℃。

其中，所述耐熱膠膜優選為PE塑膠膜，所述注塑膠優選為環氧樹脂。

其中，所述方形晶片的尺寸為0.2-0.4mm。

本發明的有益效果是：

采用本發明的工藝，晶片焊接無污染，無需清洗流程，能夠杜絕產品生產過程中離子污染的質量風險。且由于本發明工藝中晶片焊接溫度高，因而能夠大大改善產品在高溫環境下的使用可靠性。

采用本發明的工藝能夠大大提高生產效率，節約材料成本和設備投資，因而大大降低了產品生產成本，其中，總材料成本能夠下降30％，總制造成本能夠下降15％。

附圖說明

圖1為DFN二極管結構示意圖。

圖2為銀漿工藝晶片焊接示意圖。

圖3為本發明采用的晶片共晶焊接的示意圖。

圖4為本發明采用的框架貼膜工藝的示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和實施例對本發明做進一步詳細描述，但本發明的實施方式不僅限于此。

如圖3所示，本發明的DFN二極管制造工藝中，其晶片焊接過程中采用共晶晶片焊接工藝取代銀漿粘接工藝。其所采用的引線框架采用的是背部無貼膜的引線框架10，在共晶焊過程中，晶片12和引線框架10的接觸表面11熔化，形成硅金銀合金，從而使得晶片12與引線框架焊接在一起。采用共晶焊工藝大大提高了生產效率，節約了銀漿材料成本，避免了離子污染質量風險，簡化了生產流程，大大節約了設備投資。