[發明專利]InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法

有效

• 申請號: 201610945995.8
• 申請日: 2016-10-26
• 公開（公告）號: CN106785919B
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 田愛琴;劉建平;張書明;李德堯;張立群;楊輝
• 申請（專利權）人: 杭州增益光電科技有限公司
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;武岑飛

1.一種InGaN/GaN量子阱激光器，其特征在于，包括：

襯底；

在所述襯底上的低溫GaN緩沖層；

在所述低溫GaN緩沖層上的高溫n型GaN層；

在所述高溫n型GaN層上的n型AlGaN光限制層；

在所述n型AlGaN光限制層上的n型InGaN下波導層；

在所述n型InGaN下波導層上的InGaN/GaN量子阱有源區；

在所述InGaN/GaN量子阱有源區上的不摻雜的InGaN上波導層；

在所述不摻雜的InGaN上波導層上的p型AlGaN電子阻擋層；

在所述p型AlGaN電子阻擋層上的p型AlGaN/GaN光限制層；

在所述p型AlGaN/GaN光限制層上的p型GaN歐姆接觸層；

所述InGaN/GaN量子阱有源區包括至少一個InGaN/GaN量子阱；當所述InGaN/GaN量子阱的數量為至少兩個時，所述至少兩個InGaN/GaN量子阱層疊在所述n型InGaN下波導層上；

所述InGaN/GaN量子阱包括依序層疊的不摻雜的InGaN量子阱層、不摻雜的InGaN插入蓋層、不摻雜的GaN蓋層以及不摻雜的GaN量子壘層；所述不摻雜的InGaN插入蓋層中的In組分小于所述不摻雜的InGaN量子阱層中的In組分，所述不摻雜的InGaN插入蓋層的厚度為0.3nm～1nm。

2.根據權利要求1所述的InGaN/GaN量子阱激光器，其特征在于，所述不摻雜的InGaN插入蓋層中的In組分均勻；或者所述不摻雜的InGaN插入蓋層中的In組分隨著所述不摻雜的InGaN插入蓋層的厚度的增加而逐漸減小。

3.根據權利要求1或2所述的InGaN/GaN量子阱激光器，其特征在于，所述n型AlGaN光限制層由n型AlGaN/GaN光限制層替代；

所述n型AlGaN/GaN光限制層包括層疊在所述高溫n型GaN層上的多個n型AlGaN/GaN超晶格；每個n型AlGaN/GaN超晶格包括依序層疊的n型AlGaN層和n型GaN層。

4.根據權利要求1或2所述的InGaN/GaN量子阱激光器，其特征在于，所述n型InGaN下波導層和所述不摻雜的InGaN上波導層分別由GaN層代替，和/或所述p型AlGaN/GaN光限制層由厚度為200nm～1000nm的p型AlGaN層代替，和/或所述p型GaN歐姆接觸層由摻Mg濃度至少為1×10²⁰cm^-3的p型InGaN層替代。

5.根據權利要求3所述的InGaN/GaN量子阱激光器，其特征在于，所述n型InGaN下波導層和所述不摻雜的InGaN上波導層分別由GaN層代替，和/或所述p型AlGaN/GaN光限制層由厚度為200nm～1000nm的p型AlGaN層代替，和/或所述p型GaN歐姆接觸層由摻Mg濃度至少為1×10²⁰cm^-3的p型InGaN層替代。