[發(fā)明專(zhuān)利]輻射傳感器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610942592.8
• 申請(qǐng)日: 2010-06-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107425020B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: L·E·安托努克
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 密執(zhí)安州立大學(xué)董事會(huì)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 馬景輝

1.一種輻射傳感器，包括：

光導(dǎo)體檢測(cè)器，依次包括第一電極、光導(dǎo)層以及可透射電離輻射的第二電極，并且，所述光導(dǎo)層被配置為在與電離輻射相互作用時(shí)產(chǎn)生電子空穴對(duì)；

像素電路，被電連接至第一電極，并且被配置為測(cè)量指示在光導(dǎo)層中所產(chǎn)生的所述電子空穴對(duì)的成像信號(hào)；

平坦化層，被設(shè)置在第一電極與像素電路之間的像素電路上，使得第一電極在包括像素電路的平面的上方；

所述第一電極和所述第二電極中的至少一個(gè)的表面與像素電路至少部分地重疊，并且具有在像素電路的上方的表面翹曲部；并且

所述表面翹曲部具有大于1/2微米的曲率半徑。

2.如權(quán)利要求1所述的輻射傳感器，其中光導(dǎo)層包含以下半導(dǎo)體中的至少一種：VB-VIB、VB-VIIB、IIB-VIB、IIB-VB、IIIB-VB、IIIB-VIB、IB-VIB和IVB-VIIB半導(dǎo)體。

3.如權(quán)利要求1所述的輻射傳感器，其中光導(dǎo)層包含以下各項(xiàng)中的至少一種：a-Se、PbI₂、HgI₂、PbO、CdZnTe、CdTe、Bi₂S₃、Bi₂Se₃、BiI₃、BiBr₃、CdS、CdSe、HgS、Cd₂P₃、InAs、InP、In₂S₃、In₂Se₃、Ag₂S、PbI₄^-2和Pb₂I₇^-3。