[發(fā)明專利]混合系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610940076.1 | 申請日: | 2016-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN107026155A | 公開(公告)日: | 2017-08-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張圣明;張峻瑋 | 申請(專利權(quán))人: | 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/18 | 分類號: | H01L25/18 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙)44280 | 代理人: | 何青瓦 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 混合 系統(tǒng) | ||
1.一種混合系統(tǒng),其特征在于,包括:
電路板,具有主表面;
封裝上封裝,含有底部封裝,安裝于該電路板的該主表面上,以及頂部封裝,堆疊在該底部封裝上,其中,該底部封裝包括:片上系統(tǒng),以及該頂部封裝包括至少一個能夠被該片上系統(tǒng)存取的封裝上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒;以及
多芯片封裝,直接安裝在該電路板的該主表面上,其中該多芯片封裝包括至少一個板上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒,能夠被該片上系統(tǒng)經(jīng)由電路板走線來存取。
2.如權(quán)利要求1所述的混合系統(tǒng),其特征在于,該片上系統(tǒng)在該底部封裝中整合了至少一個中央處理單元和圖像處理單元。
3.如權(quán)利要求1所述的混合系統(tǒng),其特征在于,該片上系統(tǒng)包括:存儲控制器,用于從該封裝上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒和該板上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒讀取數(shù)據(jù),和將數(shù)據(jù)寫入該封裝上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒和該板上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒。
4.如權(quán)利要求1所述的混合系統(tǒng),其特征在于,該電路板走線為存儲器總線。
5.如權(quán)利要求1所述的混合系統(tǒng),其特征在于,該多芯片封裝整合了該板上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒和閃存。
6.如權(quán)利要求5所述的混合系統(tǒng),其特征在于,該閃存包括:內(nèi)嵌式多媒體卡或者通用閃存。
7.如權(quán)利要求1所述的混合系統(tǒng),其特征在于,該封裝上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒和該板上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒均為易失性存儲器晶粒及均具有雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的混合系統(tǒng),其特征在于,該封裝上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒為第四代低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器晶粒,并且該板上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒為第四代雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器晶粒。
9.如權(quán)利要求1所述的混合系統(tǒng),其特征在于,該封裝上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒沒有延遲鎖相環(huán),并且該板上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒具有至少一個延遲鎖相環(huán)。
10.如權(quán)利要求1所述的混合系統(tǒng),其特征在于,該封裝上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒和該板上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒分別電性連接至的用于指令和地址的信號引腳的數(shù)量不同;
和/或者,該封裝上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒和該板上動態(tài)隨機存取存儲器晶粒具有不同的用于輸入和輸出的電源電壓。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





