[發(fā)明專利]熔接結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610937309.2 | 申請日： | 2015-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN107116302B | 公開（公告）日： | 2019-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 久田幸平;川喜田篤史;中田征宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 豐田自動車株式會社 |
| 主分類號： | B23K26/20 | 分類號： | B23K26/20;B23K26/08;B23K26/32;B23K101/18;B23K103/10;B23K103/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 王艷江;俠暉霞 |
| 地址： | 日本愛知*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 熔接 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種熔接結(jié)構(gòu)，其特征在于包括：
熔接部，在所述熔接部中，多個金屬工件的一部分被激光束熔化并且被熔接，其中，
所述熔接部的在被所述激光束照射的一側(cè)上的表面由主凹面和副凹面形成，其中，所述主凹面從所述熔接部的周緣朝向所述熔接部的中心凹進(jìn)，所述副凹面在所述熔接部的中心附近從所述主凹面進(jìn)一步凹進(jìn)，并且所述熔接部的與所述副凹面對應(yīng)的背面不是凹進(jìn)的，或者是比所述副凹面淺的凹面，以及
其中，在所述熔接部中，柱狀晶體結(jié)構(gòu)延伸至所述熔接部的中心。
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