[發明專利]一種SiC或Si圖案襯底上生長的粗化倒裝GaAs基LED外延片及其制備方法有效
| 申請號： | 201610937274.2 | 申請日： | 2016-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN106449923B | 公開（公告）日： | 2018-08-17 |
| 發明（設計）人： | 李志虎;張新;于軍;王成新;徐現剛 | 申請（專利權）人： | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/00;H01L33/30 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人： | 楊樹云 |
| 地址： | 261061 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic si 圖案 襯底 生長 倒裝 gaas led 外延 及其 制備 方法 | ||
【說明書】：
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