[發明專利]ICP刻蝕機臺及其絕緣窗口薄膜加熱器裝置和溫度控制方法有效
| 申請號: | 201610936885.5 | 申請日: | 2016-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN108022852B | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發明(設計)人: | 左濤濤;吳狄 | 申請(專利權)人: | 中微半導體設備(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 周乃鑫 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | icp 刻蝕 機臺 及其 絕緣 窗口 薄膜 加熱器 裝置 溫度 控制 方法 | ||
1.一種絕緣窗口薄膜加熱器裝置,其特征在于,該裝置包含:設置于絕緣窗口頂部的電絕緣板,設置于電絕緣板上的粘結層,設置在粘結層上的薄膜加熱器;
所述薄膜加熱器通過粘結層與電絕緣板固定形成一個加熱模塊,加熱模塊通過電絕緣板固定于絕緣窗口頂部;
所述電絕緣板與絕緣窗口之間還設有導熱墊片,所述導熱墊片的熱傳導率低于絕緣窗口和電絕緣板。
2.如權利要求1所述的絕緣窗口薄膜加熱器裝置,其特征在于,所述電絕緣板的厚度范圍取1至50毫米。
3.如權利要求1或2所述的絕緣窗口薄膜加熱器裝置,其特征在于,所述絕緣窗口薄膜加熱器裝置還包含一機械夾持裝置,將所述加熱模塊固定到絕緣窗口。
4.如權利要求1或2所述的絕緣窗口薄膜加熱器裝置,其特征在于,所述電絕緣板中還包含一個電極,連接到一個高壓直流電源,使得所述加熱模塊靜電吸附到所述絕緣窗口上。
5.如權利要求1所述的絕緣窗口薄膜加熱器裝置,其特征在于,所述導熱墊片由硅膠和/或陶瓷制成。
6.如權利要求1所述的絕緣窗口薄膜加熱器裝置,其特征在于,所述絕緣窗口薄膜加熱器裝置還包含電路連接薄膜加熱器的溫度控制模塊,溫度控制模塊根據絕緣窗口的溫度信息控制對薄膜加熱器的輸出功率。
7.一種如權利要求6所述的絕緣窗口薄膜加熱器裝置的溫度控制方法,其特征在于,該溫度控制方法包含:
溫度控制模塊接收絕緣窗口的溫度信息,根據絕緣窗口的溫度信息控制薄膜加熱器的輸出功率;
當絕緣窗口的溫度下降,提高薄膜加熱器的輸出功率;
當絕緣窗口的溫度上升,降低薄膜加熱器的輸出功率。
8.一種ICP刻蝕機臺,其特征在于,該機臺包含:
反應腔,用于進行等離子處理工藝;
反應腔頂蓋,其設置于反應腔頂部;
外罩結構,其設置于反應腔頂部上方,反應腔頂蓋與外罩結構之間形成容置空間;
冷卻用風扇,其設置于外罩結構頂部;
絕緣窗口,其設置于反應腔頂蓋上;
RF線圈,其設置于反應腔頂蓋與外罩結構形成的容置空間內;
所述機臺還包含如權利要求1至6中任意一項權利要求所述的絕緣窗口薄膜加熱器裝置,該窗口薄膜加熱器裝置設置于絕緣窗口上,位于反應腔頂蓋與外罩結構形成的容置空間內。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中微半導體設備(上海)股份有限公司,未經中微半導體設備(上海)股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610936885.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:壓電薄膜傳感器制備方法
- 下一篇:一種運行順暢的照明燈設備
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





