[發明專利]邊沿緩變

有效

• 申請號: 201610935541.2
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN106937476B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: 約翰·C·小瓦爾考;布拉德福德·J·林達克;安德魯·S·方
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張靜

本發明涉及邊沿緩變，具體描述了用于執行邊沿緩變的方法。一種方法包括產生第一射頻信號。所述第一射頻信號從一種狀態渡越到另一種狀態。所述第一射頻信號從一種狀態到另一種狀態的所述渡越導致等離子體阻抗的改變。該方法進一步包括產生第二射頻信號。所述第二射頻信號從一種狀態渡越到另一種狀態以穩定所述等離子體阻抗的改變。該方法包括當所述第二射頻信號從一種狀態渡越到另一種狀態時，提供參數值用于執行所述第二射頻信號的邊沿緩變。當所述第二射頻信號從一種狀態渡越到另一種狀態時，提供參數值用于執行所述第二射頻信號的邊沿緩變，其中執行第二射頻信號的邊沿緩變以將第二射頻信號的渡越速率改變為不同于所述第一射頻信號的渡越速率。

本申請是申請號為201310422559.9、申請日為2013年9月16 日、發明名稱為“邊沿緩變”的申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及改善對等離子體阻抗的改變的響應，更具體地涉及用于執行邊沿緩變的裝置、方法和計算機程序。

背景技術

在一些等離子體處理系統中，多個射頻(RF)信號被提供給等離子體室內的一或多個電極。該RF信號幫助在等離子體室內產生等離子體。該等離子體被用于各種操作，例如，清潔被置于下電極上的襯底、蝕刻該襯底、斜面蝕刻該襯底，等等。

當RF信號之一的功率值改變時，等離子體阻抗改變且該等離子體內產生擾動。當等離子體被用于上述各種操作時，控制該擾動是重要的。

在這種背景下，提出本公開中所記載的實施方式。

發明內容

本公開的實施方式提供了用于邊沿緩變(edge ramping)的裝置、方法和計算機程序。應當理解的是這些實施方式可以多種方式實現，例如，工藝、裝置、系統、設備、或者計算機可讀介質上的方法。下面描述若干實施方式。

在實施方式中，一種系統包括用于產生第一RF信號的主RF 產生器。第一RF信號從一種狀態渡越到另一種狀態。第一RF信號從一種狀態到另一種狀態的渡越導致等離子體阻抗的改變。該系統進一步包括用于產生第二RF信號的次級RF產生器。第二RF信號從一種狀態渡越到另一種狀態以穩定等離子體阻抗的改變。該系統包括耦合到次級RF產生器的控制器。該控制器用于提供參數值給次級RF產生器以在第二RF信號從一種狀態渡越到另一種狀態時執行第二RF信號的邊沿緩變。

在一實施方式中，描述了一種用于減少射頻(RF)信號的功率電平的改變對等離子體阻抗的影響的系統。該系統包括主產生器。該主產生器包括用于產生主RF信號的主激勵器和放大器以及用于識別數字脈沖信號的狀態的主數字信號處理器(DSP)。該狀態包括第一狀態和第二狀態。該主DSP用于在該數字脈沖信號處于第一狀態時識別第一主頻率輸入以及用于在該數字脈沖信號處于第二狀態時識別第二主頻率輸入。該主產生器進一步包括耦合到主DSP以及主激勵器和放大器的第一主自動頻率調諧器(AFT)。第一主AFT用于從主DSP接收第一主頻率輸入以及調諧主RF信號以達到對應于第一主頻率輸入的等離子體阻抗。該主產生器包括耦合到主DSP以及主激勵器和放大器的第二主AFT。第二主AFT用于從主DSP接收第二主頻率輸入以及調諧主RF信號以達到對應于第二主頻率輸入的等離子體阻抗。該主 RF信號具有從第一主頻率輸入到第二主頻率輸入的渡越的主速率。