[發明專利]一種絕緣柵雙極晶體管在審
| 申請號： | 201610933819.2 | 申請日： | 2016-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN108022971A | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發明（設計）人： | 朱江 | 申請（專利權）人： | 朱江 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 113200 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 絕緣 雙極晶體管 | ||
1.一種絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：包括：
N型基區，由N型半導體材料構成；
P型基區、N型集電區、柵氧化層和柵極介質，位于N型基區上方；
導電材料區，位于N型基區下部，為高濃度雜質摻雜的多晶硅或無定形硅；
襯底P+發射區，位于導電材料區下部，為P型半導體材料構成，為高濃度雜質摻雜。
2.如權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述的導電材料為P型導電雜質摻雜、N型導電雜質摻雜或者下部為P型導電雜質摻雜上部為N型導電雜質摻雜。
3.如權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述的N型基區到襯底P+發射區之間設置多個溝槽，溝槽側壁設置絕緣層，溝槽內設置N型基區和襯底P+發射區形成的PN結。
4.一種絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：包括：
N型基區，由N型半導體材料構成；
P型基區、N型集電區、柵氧化層和柵極介質，位于N型基區上方；
導電材料區，位于N型基區下部，為高濃度雜質摻雜的多晶硅或無定形硅，下部為N型雜質摻雜，上部為P型雜質摻雜；
襯底N+型區，位于導電材料區下部，為N型半導體材料構成，為高濃度雜質摻雜。
5.如權利要求4所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述的導電材料區與N型基區形成的冶金結位于導電材料區中、接觸面或N型基區中。
6.如權利要求4所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述的N型基區到襯底N+區之間設置多個溝槽，溝槽側壁設置絕緣層，溝槽內設置N型半導體材料。
7.一種絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：包括：
N型基區，由N型半導體材料構成；
P型基區、N型集電區、柵氧化層和柵極介質，位于N型基區上方；
襯底P+發射區，位于N型基區下部，為P型半導體材料構成，為高濃度雜質摻雜；多個
金屬區，為金屬，位于襯底P+發射區和N型基區之間部分區域。
8.如權利要求7所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述的金屬區側壁設置絕緣層。
9.如權利要求7所述的絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述的金屬區與N型基區形成歐姆接觸或肖特基勢壘結。
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