[發(fā)明專利]納米結(jié)構(gòu)化制品

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610930410.5
• 申請日: 2012-03-05
• 公開（公告）號: CN106865493B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發(fā)明（設計）人: 余大華;莫塞斯·M·大衛(wèi);卡爾克·C·旺
• 申請（專利權(quán)）人: 3M創(chuàng)新有限公司
• 主分類號: G02B1/118
• 分類號: G02B1/118;G02B5/30;B82Y20/00;C09D4/02;C09D5/00;C09D7/61
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 吳潤芝;郭國清

1.一種納米結(jié)構(gòu)化制品，其包括具有第一主表面和大致相背對的第二主表面的基材和在所述第一主表面上的第一層，其中所述第一層包括基質(zhì)和納米級分散相，且具有無規(guī)的第一納米結(jié)構(gòu)化各向異性表面，其中所述無規(guī)的第一納米結(jié)構(gòu)化各向異性表面包含具有至少10:1的高寬比的納米特征，其中所述納米特征垂直于所述第一主表面，其中所述納米特征的大部分被所述納米級分散相覆蓋，其中所述第一層具有至多0.5微米的平均厚度，并且所述第一層本身的所述無規(guī)的第一納米結(jié)構(gòu)化各向異性表面在可見光范圍內(nèi)具有小于1％的反射百分率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米結(jié)構(gòu)化制品，其中所述基質(zhì)為聚合物基質(zhì)。

3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的納米結(jié)構(gòu)化制品，其中所述第一層具有至多0.15微米的平均厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米結(jié)構(gòu)化制品，所述納米結(jié)構(gòu)化制品還包括設置在所述基材的所述第一主表面和所述第一層之間的功能層，其中所述功能層為透明導電層或氣體阻擋層中的至少一者。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米結(jié)構(gòu)化制品，所述納米結(jié)構(gòu)化制品還包括設置在所述無規(guī)的第一納米結(jié)構(gòu)化表面上的功能層，其中所述功能層為透明導電層或氣體阻擋層中的至少一者。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米結(jié)構(gòu)化制品，所述納米結(jié)構(gòu)化制品還包括在所述基材的所述第二主表面上的第二層，其中所述第二層具有無規(guī)的第二納米結(jié)構(gòu)化表面，并且其中所述第二層具有至多0.5微米的平均厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的納米結(jié)構(gòu)化制品，所述納米結(jié)構(gòu)化制品還包括設置在所述基材的所述第二主表面和所述第二層之間的功能層，其中所述功能層為透明導電層或氣體阻擋層中的至少一者。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的納米結(jié)構(gòu)化制品，所述納米結(jié)構(gòu)化制品還包括設置在所述無規(guī)的第二納米結(jié)構(gòu)化表面上的功能層，其中所述功能層為透明導電層或氣體阻擋層中的至少一者。