[發明專利]一種多層堆疊晶圓的研磨方法有效
| 申請號： | 201610929793.4 | 申請日： | 2016-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN108022836B | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發明（設計）人： | 陸建剛;施林波;陳福成 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;B24B1/00;B24B37/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多層 堆疊 研磨 方法 | ||
1.一種多層堆疊晶圓的研磨方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供第一晶圓和第二晶圓，并對兩者進行熔膠鍵合，其中所述第二晶圓位于所述第一晶圓的上方；
對所述第二晶圓的邊緣進行切邊處理；
研磨所述第二晶圓；
在所述第二晶圓上方提供第三覆蓋晶圓，并將所述第二晶圓與其進行共熔鍵合；
研磨所述第一晶圓；
研磨所述第三覆蓋晶圓，研磨所述第三覆蓋晶圓時僅對所述第三覆蓋晶圓的中心區域進行研磨，不對所述第三覆蓋晶圓的邊緣區域進行研磨，進而在所述第三覆蓋晶圓的邊緣區域形成凸起的環狀結構；
同時切割所述第三覆蓋晶圓、所述第二晶圓和所述第一晶圓。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶圓上形成有CMOS，所述第二晶圓上形成有MEMS。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在研磨所述第二晶圓后，還包括對所述第二晶圓進行后序處理工藝。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，研磨所述第二晶圓的工藝為化學機械研磨。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，研磨所述第一晶圓的工藝為化學機械研磨。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三覆蓋晶圓、第二晶圓和第一晶圓的切割方法是物理切割。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二晶圓的切邊寬度為2-2.5mm。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二晶圓的研磨后的厚度為20-60μm。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶圓的研磨后的厚度為150-250μm。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述環狀結構的寬度為2-2.2mm，研磨后，所述第三覆蓋晶圓的中心區域的厚度為200-300μm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
