[發(fā)明專利]一種去除硅片表面顆粒的拋光工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211245952.0
• 申請日: 2022-10-12
• 公開（公告）號: CN115476265A
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 袁祥龍;劉園;武衛(wèi);劉建偉;祝斌;劉姣龍;裴坤羽;孫晨光;王彥君;張宏杰;由佰玲;常雪巖;楊春雪;謝艷;劉秒;呂瑩;徐榮清
• 申請（專利權(quán)）人: 天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司;中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;C09G1/02
• 代理公司: 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本發(fā)明提供一種去除硅片表面顆粒的拋光工藝，至少對拋光后的硅片進行一次粗拋和一次精拋；在粗拋所用的粗拋液中加入活性劑，且加入活性劑的時間小于粗拋的時間。本發(fā)明一種去除硅片表面顆粒的拋光工藝，在每一拋光工序中都添加活性劑，且添加活性劑的時間至少持續(xù)5s，即可完全拋光掉硅片表面上的顆粒，拋光效果好且拋光效率高；可有效提升硅片表面顆粒的潔凈度，對后期器件質(zhì)量有較大改善，且硅片利用率高，節(jié)約成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于桂皮拋光技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種去除硅片表面顆粒的拋光工藝。

背景技術(shù)

目前化學(xué)-機械拋光中，最大的問題是在拋光過程中，硅片表面存在很多顆粒，導(dǎo)致硅片表面的潔凈度較差。若硅片表面顆粒較多會影響后期器件的制備，導(dǎo)致出現(xiàn)漏電隱患，嚴(yán)重影響產(chǎn)品質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種去除硅片表面顆粒的拋光工藝，尤其是用于提高硅片表面潔凈度，解決了現(xiàn)有拋光工藝不合理導(dǎo)致硅片表面顆粒較多的技術(shù)問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種去除硅片表面顆粒的拋光工藝，至少對拋光后的硅片進行一次粗拋和一次精拋；在粗拋所用的粗拋液中加入活性劑，且加入活性劑的時間小于粗拋的時間。

進一步的，粗拋時加入活性劑的時間不小于5s。

進一步的，粗拋的時間為200-300s；

粗拋液溫度不超過25°；

優(yōu)選地，粗拋液溫度為20°。

進一步的，粗拋液中含有二氧化硅磨粒的濃度為18-22％，且二氧化硅的平均粒徑為40-50nm；且粗拋液與水的體積比為1：25。

進一步的，精拋在粗拋之后，且包括兩次精拋，每次精拋時都加入活性劑，且加入活性劑的時間都小于每個精拋的時間。

進一步的，兩次精拋中加入活性劑的時間相同，且均不小于5s。

進一步的，每次精拋的時間為200-300s，且兩次精拋時間相同；

精拋液溫度不超過25°；

優(yōu)選地，精拋液溫度為22°。

進一步的，精拋液中含有二氧化硅磨粒的濃度為8.7-10％，且二氧化硅的平均粒徑為30-38nm；精拋液與水的體積比為1：30。

進一步的，精拋中加入活性劑的時間不大于粗拋中加入活性劑的時間；

且粗拋和所有精拋中所用的活性劑均相同且均為酸性。

進一步的，在每次粗拋和精拋之后，都要進行純水沖洗。

采用本發(fā)明設(shè)計的一種去除硅片表面顆粒的拋光工藝，在每一拋光工序中都添加活性劑，且添加活性劑的時間至少持續(xù)5s，即可完全拋光掉硅片表面上的顆粒，拋光效果好且拋光效率高；可有效提升硅片表面顆粒的潔凈度，對后期器件質(zhì)量有較大改善，且硅片利用率高，節(jié)約成本。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一實施例的一種去除硅片表面顆粒的拋光工藝的流程圖。10、粗拋20、一次精拋30、二次精拋

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細說明。