[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610921150.5
• 申請(qǐng)日: 2016-10-21
• 公開（公告）號(hào): CN106935644B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 惠良淳史;畠中獎(jiǎng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L29/205;H01L29/207;H01L21/335
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

襯底；

第一GaN層，其設(shè)置在所述襯底之上，含有碳；

第二GaN層，其設(shè)置在所述第一GaN層之上，含有過渡金屬和碳；

第三GaN層，其設(shè)置在所述第二GaN層之上，含有過渡金屬和碳；以及

電子供給層，其設(shè)置在所述第三GaN層之上，帶隙比GaN大，

所述第三GaN層的過渡金屬濃度為，從所述第二GaN層朝向所述電子供給層，從所述第二GaN層的過渡金屬濃度起逐漸降低，在從所述電子供給層的下端起深度100nm的位置處比1×10¹⁵cm^－3高且比5×10¹⁷cm^－3低，

所述第三GaN層的碳濃度比5×10¹⁶cm^－3低，

所述第二GaN層的上端比從所述電子供給層的下端起的800nm處深，

所述第三GaN層的碳濃度比所述第一以及第二GaN層的碳濃度低，

所述過渡金屬是鐵。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第三GaN層的碳濃度比2×10¹⁶cm^－3低。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第一以及第二GaN層的碳濃度比2×10¹⁶cm^－3高。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第一以及第二GaN層的碳濃度比5×10¹⁶cm^－3高。

5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

襯底；

第一GaN層，其設(shè)置在所述襯底之上，含有碳；

第二GaN層，其設(shè)置在所述第一GaN層之上，含有過渡金屬和碳；

第三GaN層，其設(shè)置在所述第二GaN層之上，含有過渡金屬和碳；以及

電子供給層，其設(shè)置在所述第三GaN層之上，帶隙比GaN大，

所述第三GaN層的過渡金屬濃度為，從所述第二GaN層朝向所述電子供給層，從所述第二GaN層的過渡金屬濃度起逐漸降低，在從所述電子供給層的下端起深度100nm的位置處比1×10¹⁵cm^－3高且比5×10¹⁷cm^－3低，

所述第三GaN層的碳濃度比5×10¹⁶cm^－3低，

所述第一GaN層的上端比從所述電子供給層的下端起的800nm處深，

所述第二以及第三GaN層的碳濃度比所述第一GaN層的碳濃度低，

所述過渡金屬是鐵。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第二以及第三GaN層的碳濃度比2×10¹⁶cm^－3低。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第二GaN層的過渡金屬濃度比1×10¹⁷cm^－3低。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第一GaN層的碳濃度比2×10¹⁶cm^－3高。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第一GaN層的碳濃度比5×10¹⁶cm^－3高。