[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201610912509.2
• 申請日: 2016-10-19
• 公開（公告）號: CN106910738B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 謝志宏
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 11409 北京德恒律治知識產權代理有限公司
• 代理人: 章社杲;李偉<國際申請>=<國際公布>=

1.一種半導體器件，包括：

第一鰭場效應晶體管，包括在第一方向上延伸的第一鰭結構以及包括第一柵極結構，所述第一柵極結構包括在所述第一鰭結構上方形成的第一柵極介電層和在所述第一柵極介電層上方形成的第一柵電極層，且所述第一柵極結構在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；以及

第二鰭場效應晶體管，包括在所述第一方向上延伸的第二鰭結構以及包括第二柵極結構，所述第二柵極結構包括在所述第二鰭結構上方形成的第二柵極介電層和在所述第二柵極介電層上方形成的第二柵電極層，且所述第二柵極結構在所述第二方向上延伸；其中：

所述第一柵極結構和所述第二柵極結構沿著所述第二方向對準，

所述第一柵極結構和所述第二柵極結構通過由絕緣材料制成的分離插塞分離，以及

所述第一柵電極層與所述分離插塞的側壁接觸，其中，所述第一柵電極層包括在所述第一鰭結構上方形成的下面的層和主金屬電極層，并且所述主金屬電極層與所述分離插塞的所述側壁接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述分離插塞是由基于氮化硅的材料制成的。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第二柵電極層包括在所述第二鰭結構上方形成的下面的層和主金屬電極層，以及

所述第二柵電極層的所述主金屬電極層與所述分離插塞的側壁接觸。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一柵極介電層的沿所述第二方向的最上部分位于所述第一鰭結構之上。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述下面的層的沿所述第二方向的最上部分位于所述第一鰭結構之上。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一柵極結構具有第一端和第二端，

在所述第一端處提供所述分離插塞，以及

在所述第二端處提供另一分離插塞。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一柵極結構具有第一端和第二端，

在所述第一端處提供所述分離插塞，以及

在所述第二端處不提供分離插塞。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中：

在所述第二端處，所述第一柵電極層不與所述分離插塞的側壁接觸。

9.一種半導體器件，包括：

第一鰭場效應晶體管，包括半導體襯底的第一溝道區域以及包括第一柵極結構，所述第一柵極結構包括在所述第一溝道區域上方形成的第一柵極介電層和在所述第一柵極介電層上方形成的第一柵電極層，且所述第一柵極結構在第一方向上延伸；以及

第二鰭場效應晶體管，包括所述半導體襯底的第二溝道區域以及包括第二柵極結構，所述第二柵極結構包括在所述第二溝道區域上方形成的第二柵極介電層和在所述第二柵極介電層上方形成的第二柵電極層，且所述第二柵極結構在所述第一方向上延伸；其中

所述第一柵極結構和所述第二柵極結構沿著所述第一方向對準，

所述第一柵極結構和所述第二柵極結構通過由絕緣材料制成的分離插塞分離，以及

所述第一柵電極層與所述分離插塞的側壁接觸，其中，所述第一柵電極層包括在所述第一溝道區域上方形成的下面的層和主金屬電極層，并且所述主金屬電極層與所述分離插塞的所述側壁接觸。