[發明專利]用于高功率電遷移的通孔軌解決方案

有效

• 申請號: 201610903438.X
• 申請日: 2016-10-18
• 公開（公告）號: CN107039525B
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 蕭錦濤;曾健庭;余基業;陳志良;賴志明;陳俊光;劉如淦;楊超源;陳文豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明實施例涉及一種具有防止諸如電遷移的可靠性問題的通孔軌的集成電路。在一些實施例中，集成電路具有在半導體襯底上方布置的多個第一導電接觸件。在多個第一導電接觸件上方布置第一金屬互連引線，且在第一金屬互連引線上方布置第二金屬互連引線。通孔軌布置在第一金屬互連引線上方且電連接第一金屬互連引線和第二金屬互連引線。通孔軌具有在多個導電接觸件的兩個或多個上方連續延伸的長度。通孔軌的長度在第一金屬互連引線和第二金屬互連引線之間且沿著通孔軌的長度提供了增加的橫截面積，從而減輕集成電路內的電遷移。本發明實施例涉及用于高功率電遷移的通孔軌解決方案。

技術領域

本發明實施例涉及用于高功率電遷移的通孔軌解決方案。

背景技術

在過去四十年中，對更佳的性能(例如，增大的處理速度，存儲空間等)、收縮的形狀因數、延伸的電池壽命以及更低的成本的持續需求已經驅動了半導體制造產業。為響應需求，響應于該需求，該產業已持續降低半導體器件部件的尺寸，從而使得現代集成芯片可以包括布置在單個半導體管芯上的數百萬或者數十億的半導體器件。

發明內容

根據本發明的一些實施例，提供了一種集成電路，包括：多個導電接觸件，布置在半導體襯底上方；第一金屬互連引線，布置在所述多個導電接觸件上方；第二金屬互連引線，布置在所述第一金屬互連引線上方；以及通孔軌，布置在所述第一金屬互連引線上方且配置為電連接所述第一金屬互連引線和所述第二金屬互連引線，其中，所述通孔軌具有在所述多個導電接觸件的兩個或多個上方連續延伸的長度。

根據本發明的另一些實施例，還提供了一種集成電路，包括：有源區，包括布置在阱區內的多個源極/漏極區，所述阱區設置在襯底中；多個柵極結構，以接觸柵極間距布置在所述襯底上方的所述多個源極/漏極區的鄰近的源極/漏極區之間；多個中段制程(MEOL)結構，布置在所述多個源極/漏極區上；多個導電接觸件，布置在所述多個MEOL結構上方；第一金屬互連引線，布置在所述多個導電接觸件上方；第二金屬互連引線，布置在所述第一金屬互連引線上方；以及通孔軌，配置為電連接所述第一金屬互連引線和所述第二金屬互連引線，其中，所述通孔軌具有大于所述接觸柵極間距的長度。

根據本發明的又一些實施例，還提供了一種形成集成芯片的方法，包括：在半導體襯底上方布置多個導電接觸件；在所述多個導電接觸件上方形成第一金屬互連引線；在所述第一金屬互連引線上方形成通孔軌，其中，所述通孔軌具有在所述多個導電接觸件的兩個或多個上方連續延伸的長度；以及在所述通孔軌上形成第二金屬互連引線。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，根據下面詳細的描述可以更好地理解本發明的實施例。應該強調的是，根據工業中的標準實踐，對各種部件沒有按比例繪制并且僅僅用于說明的目的。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或縮小。

圖1示出了具有包括配置為減輕電遷移的通孔軌的后段制程(BEOL)金屬堆疊件的集成電路的一些實施例的截面圖。

圖2示出了具有包括通孔軌的BEOL金屬堆疊件的集成電路的一些附加實施例的截面圖。

圖3示出了具有包括通孔軌的BEOL金屬堆疊件的集成電路的一些附加實施例的頂視圖。

圖4示出了具有包括通孔軌的集成電路的一些附加實施例的截面圖。

圖5示出了具有包括通孔軌的BEOL金屬堆疊件的集成電路的截面圖的一些附加實施例。

圖6A至圖6B示出了包括具有在多個FinFET器件上方布置的通孔軌的后段制程(BEOL)金屬堆疊件的集成電路的一些實施例。

圖7至圖17示出了形成具有BEOL金屬堆疊件的集成電路的方法的一些實施例的截面圖，其中，BEOL金屬堆疊件包括通孔軌。