[發明專利]用于高功率電遷移的通孔軌解決方案

有效

• 申請號: 201610903438.X
• 申請日: 2016-10-18
• 公開（公告）號: CN107039525B
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 蕭錦濤;曾健庭;余基業;陳志良;賴志明;陳俊光;劉如淦;楊超源;陳文豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路，包括：

多個導電接觸件，布置在半導體襯底上方；

第一金屬互連引線，布置在所述多個導電接觸件上方；

第二金屬互連引線，布置在所述第一金屬互連引線上方；以及

通孔軌，布置在所述第一金屬互連引線上方且配置為電連接所述第一金屬互連引線和所述第二金屬互連引線，其中，所述通孔軌具有在所述多個導電接觸件的兩個或多個上方連續延伸的長度，

其中，所述第一金屬互連引線和所述第二金屬互連引線為在第一方向和第二方向上延伸越過所述通孔軌的相對側壁的連續結構，所述第一方向垂直于所述第二方向，并且其中，所述第一金屬互連引線的側壁具有第一角度，所述通孔軌的側壁具有第二角度，所述第一角度與所述第二角度不同。

2.根據權利要求1所述的集成電路，還包括：

通孔，以偏離所述通孔軌的位置布置在所述第一金屬互連引線上方，其中，所述通孔和所述通孔軌具有相同的寬度和不同的長度。

3.根據權利要求1所述的集成電路，還包括：

有源區，包括布置阱區內的多個源極/漏極區，所述阱區設置在所述半導體襯底內；

多個柵極結構，布置在所述半導體襯底上方的所述多個源極/漏極區的鄰近的源極/漏極區之間；以及

多個中段制程(MEOL)結構，布置在所述多個源極/漏極區上的所述多個柵極結構之間。

4.根據權利要求3所述的集成電路，其中，所述第一金屬互連引線和所述第二金屬互連引線在相同的方向上沿著所述有源區的整個長度延伸。

5.根據權利要求3所述的集成電路，其中，所述多個中段制程結構在所述有源區上方以第一方向延伸且所述通孔軌的長度在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。

6.根據權利要求3所述的集成電路，其中，所述多個導電接觸件將所述多個中段制程結構電連接至所述第一金屬互連引線。

7.根據權利要求3所述的集成電路，其中，所述通孔軌在所述多個柵極結構的兩個或多個上方延伸。

8.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述第一金屬互連引線具有第一高度且所述通孔軌具有大于所述第一高度的第二高度。

9.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述通孔軌的下表面通過擴散阻擋襯墊與所述第一金屬互連引線分離且所述通孔軌的上表面直接接觸所述第二金屬互連引線。

10.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述通孔軌具有矩形的覆蓋區。

11.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述通孔軌、所述第一金屬互連引線和所述第二金屬互連引線位于不同的層中。

12.一種集成電路，包括：

有源區，包括布置在阱區內的多個源極/漏極區，所述阱區設置在襯底中；

多個柵極結構，以接觸柵極間距布置在所述襯底上方的所述多個源極/漏極區的鄰近的源極/漏極區之間；

多個中段制程(MEOL)結構，布置在所述多個源極/漏極區上；

多個導電接觸件，布置在所述多個中段制程結構上方；

第一金屬互連引線，布置在所述多個導電接觸件上方；

第二金屬互連引線，布置在所述第一金屬互連引線上方；以及

通孔軌，配置為電連接所述第一金屬互連引線和所述第二金屬互連引線，其中，所述通孔軌具有大于所述接觸柵極間距的長度，

其中，所述第一金屬互連引線和所述第二金屬互連引線為在第一方向和第二方向上延伸越過所述通孔軌的相對側壁的連續結構，所述第一方向垂直于所述第二方向，并且其中，所述第一金屬互連引線的側壁具有第一角度，所述通孔軌的側壁具有第二角度，所述第一角度與所述第二角度不同。