[發明專利]多區域的功率半導體器件

有效

• 申請號: 201610893921.4
• 申請日: 2016-10-13
• 公開（公告）號: CN106920841B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 蘇明
• 申請（專利權）人: 福特全球技術公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 王秀君;魯恭誠

1.一種絕緣柵雙極型晶體管，包括：

第一區域和第二區域，分別包括多個柵極區，所述多個柵極區經由發射極區和基極區連接到發射極并連接到設置在集電極區上的漂移區，第一區域被構造為：(i)在切換到非導通狀態期間比第二區域具有更大的開關損耗；(ii)在第二區域切換到非導通狀態之前切換到非導通狀態。

2.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其中，第一區域的集電極區具有比第二區域的集電極區的摻雜濃度更大的摻雜濃度。

3.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其中，由于第一區域與第二區域之間不同的復合壽命減少處理，第一區域的漂移區在導通狀態期間比第二區域的漂移區具有更多的存儲電荷。

4.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其中，柵極區電連接到共同的柵極信號。

5.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其中，柵極絕緣層將柵極區與相鄰的區分隔開，第一區域的柵極絕緣層的厚度大于第二區域的柵極絕緣層的厚度。

6.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其中，第一區域的基極區具有比第二區域的基極區的摻雜濃度更大的摻雜濃度。

7.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其中，第一區域和第二區域還被構造為使得第一區域在第二區域接收到用于切換到非導通狀態的請求之前接收用于切換到非導通狀態的請求。

8.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其中，第二區域的柵極區連接到具有預定電阻值的柵極信號，所述預定電阻值降低來自第二區域的柵極電容的放電電流的水平，其中，所述預定電阻值大于與第一區域的柵極區關聯的電阻值。