[發明專利]壓粉磁心、壓粉磁心用粉末和壓粉磁心的制造方法有效
| 申請號: | 201610893890.2 | 申請日: | 2016-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN107025986B | 公開(公告)日: | 2019-06-28 |
| 發明(設計)人: | 岡本大祐;高橋利光;三枝真二郎;石井洪平;巖田直樹;黃晸煥;大坪將士;服部毅;原昌司 | 申請(專利權)人: | 豐田自動車株式會社 |
| 主分類號: | H01F27/255 | 分類號: | H01F27/255;H01F41/02;H01F1/33;H01F1/147 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 劉航;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓粉磁心 壓粉磁心用 粉末 制造 方法 | ||
1.一種壓粉磁心,其特征在于,具備:
在由Fe-Si-Al合金構成的母材的表面具有氮化鋁層的軟磁性粒;和
在軟磁性粒彼此之間的、軟化點溫度比將壓粉磁心退火時的所述軟磁性粒的退火溫度低的低熔點玻璃層,
所述壓粉磁心,在將1kA/m的施加磁場下的相對微分磁導率作為第1相對微分磁導率μ’L、將40kA/m的施加磁場下的相對微分磁導率作為第2相對微分磁導率μ’H時,第1相對微分磁導率μ’L與第2相對微分磁導率μ’H的比滿足μ’L/μ’H≤6的關系,且在60kA/m的施加磁場下的磁通密度為1.4T以上,
所述軟磁性粒含有1.0~3.0質量%的范圍的Si,并且,
在對所述壓粉磁心進行XRD分析時,來自AlN的峰波形的面積Sal相對于來自Fe的峰波形的面積Sfe的比即峰面積比Sal/Sfe為4%以上。
2.根據權利要求1所述的壓粉磁心,其特征在于,在將壓粉磁心整體設為100質量%時,含有0.05~5.0質量%的形成所述低熔點玻璃層的低熔點玻璃。
3.一種壓粉磁心用粉末,其特征在于,具備:
在由Fe-Si-Al合金構成的母材的表面具有氮化鋁層的軟磁性粉末;和
在該軟磁性粉末的表面的、軟化點溫度比將壓粉磁心退火時的所述軟磁性粉末的退火溫度低的低熔點玻璃皮膜,
在將該軟磁性粉末整體設為100質量%時,所述軟磁性粉末含有1.0~3.0質量%的范圍的Si,Al含量相對于Al與Si的合計含量的質量比例即Al比率為0.45以上,
在對該壓粉磁心用粉末進行XRD分析時,所述壓粉磁心用粉末的來自AlN的峰波形的面積Sal相對于來自Fe的峰波形的面積Sfe的比即峰面積比Sal/Sfe為4%以上,
所述氮化鋁層的厚度為580nm以上。
4.一種壓粉磁心的制造方法,包括:
準備軟磁性粉末的工序,所述軟磁性粉末是由Fe-Si-Al合金構成的軟磁性粉末,在將該軟磁性粉末整體設為100質量%時,含有1.0~3.0質量%的范圍的Si,Al含量相對于Al與Si的合計含量的質量比例即Al比率為0.45以上;
氮化處理工序,該工序通過將準備好的所述軟磁性粉末在氮氣氣氛下加熱來對所述軟磁性粉末進行氮化處理,從而在所述軟磁性粉末的表面形成氮化鋁層,并使得在對氮化處理過的軟磁性粉末進行XRD分析時的來自AlN的峰波形的面積Sal相對于來自Fe的峰波形的面積Sfe的比即峰面積比Sal/Sfe為4%以上;
制造壓粉磁心用粉末的工序,該工序向氮化處理過的所述軟磁性粉末中添加軟化點溫度比將壓粉磁心退火時的退火溫度低的低熔點玻璃,以被覆所述軟磁性粉末的表面的方式形成由所述低熔點玻璃構成的低熔點玻璃皮膜,從而制造壓粉磁心用粉末;和
由形成有所述低熔點玻璃皮膜的壓粉磁心用粉末成形出壓粉磁心,然后將該壓粉磁心退火的工序,
所述氮化鋁層的厚度為580nm以上。
5.根據權利要求4所述的壓粉磁心的制造方法,其特征在于,在所述氮化處理工序中,以800℃以上、0.5小時以上的條件對所述軟磁性粉末進行加熱。
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