[發(fā)明專利]跨電源域的靜電放電防護(hù)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610893311.4
• 申請日: 2016-10-13
• 公開（公告）號: CN107947138B
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹太和;顏承正
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H02H9/02
• 分類號: H02H9/02;H02H9/04
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 梁麗超;劉冀

本發(fā)明提出一種跨電源域的靜電放電防護(hù)電路，包含：第一電流路徑開關(guān)，并聯(lián)于第一電路，且在第一節(jié)點(diǎn)電壓處于邏輯高電位時(shí)關(guān)斷；第一節(jié)點(diǎn)，用于提供第一節(jié)點(diǎn)電壓；第一電阻組件，耦接于第一電源端與第一節(jié)點(diǎn)之間；第一金氧半導(dǎo)體電容，耦接于第一節(jié)點(diǎn)與第一固定電位端之間；第二電流路徑開關(guān)，并聯(lián)于第二電路，且受控于第二節(jié)點(diǎn)電壓；開關(guān)控制電路，用于提供第二節(jié)點(diǎn)電壓；以及節(jié)點(diǎn)電壓控制電路，設(shè)置成在第一電源端供電給第一電路且第二電源端供電給第二電路時(shí)，依據(jù)第二節(jié)點(diǎn)電壓控制第一節(jié)點(diǎn)電壓的大小，以確保第一電流路徑開關(guān)維持在關(guān)斷狀態(tài)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)靜電放電防護(hù)電路，尤指一種跨電源域的靜電放電防護(hù)電路。

背景技術(shù)

集成電路中常會將靜電放電防護(hù)電路與其他電路并聯(lián)，以提供與其他電路并聯(lián)的放電路徑。為了降低電路面積，傳統(tǒng)的靜電放電防護(hù)電路中所使用的電容器，多半是以金氧半導(dǎo)體電容(MOS capacitor)來實(shí)現(xiàn)。

然而，在許多先進(jìn)的半導(dǎo)體制程中，金氧半導(dǎo)體電容很容易因?yàn)闁艠O氧化層厚度越來越薄，而發(fā)生柵極漏電流(gate leakage)的問題。如此一來，便可能導(dǎo)致靜電放電防護(hù)電路在其他電路正常運(yùn)作的過程中產(chǎn)生誤作動，而造成集成電路發(fā)生故障或無法正常運(yùn)作的問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，如何有效避免靜電放電防護(hù)電路因金氧半導(dǎo)體電容的柵極漏電流問題而產(chǎn)生誤作動的情況，實(shí)為業(yè)界有待解決的問題。

本說明書提供一種跨電源域的靜電放電防護(hù)電路的實(shí)施例，其包含：一第一電流路徑開關(guān)，位于一第一電源端與一第一固定電位端之間的一第一電流路徑上，并聯(lián)于一第一電路，且設(shè)置成在一第一節(jié)點(diǎn)電壓處于邏輯高電位時(shí)關(guān)斷；一第一節(jié)點(diǎn)，耦接于該第一電流路徑開關(guān)的一控制端，用于提供該第一節(jié)點(diǎn)電壓；一第一電阻組件，耦接于該第一電源端與該第一節(jié)點(diǎn)之間；一第一金氧半導(dǎo)體電容，耦接于該第一節(jié)點(diǎn)與該第一固定電位端之間，且設(shè)置成在該第一節(jié)點(diǎn)電壓處于邏輯高電位時(shí)進(jìn)行充電；一第二電流路徑開關(guān)，位于一第二電源端與一第二固定電位端之間的一第二電流路徑上，并聯(lián)于一第二電路，且受控于一第二節(jié)點(diǎn)電壓；一開關(guān)控制電路，耦接于該第二電源端與該第二固定電位端之間，用于提供該第二節(jié)點(diǎn)電壓；以及一節(jié)點(diǎn)電壓控制電路，耦接于該第一電源端、該第一節(jié)點(diǎn)、以及該開關(guān)控制電路，設(shè)置成在該第一電源端供電給該第一電路且該第二電源端供電給該第二電路時(shí)，依據(jù)該第二節(jié)點(diǎn)電壓控制該第一節(jié)點(diǎn)電壓的大小，以確保該第一電流路徑開關(guān)維持在關(guān)斷狀態(tài)。

上述實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)之一，是即使第一金氧半導(dǎo)體電容有柵極漏電流發(fā)生，節(jié)點(diǎn)電壓控制電路仍可依據(jù)開關(guān)控制電路提供的第二節(jié)點(diǎn)電壓來控制第一節(jié)點(diǎn)電壓的大小，以確保第一電流路徑開關(guān)不會誤作動。

上述實(shí)施例的另一優(yōu)點(diǎn)，是可采用更先進(jìn)的半導(dǎo)體制程技術(shù)來制造第一金氧半導(dǎo)體電容，以極小化第一金氧半導(dǎo)體電容的電路面積。

本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)將搭配以下的說明和圖式進(jìn)行更詳細(xì)的解說。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的靜電放電防護(hù)電路簡化后的功能方塊圖。

圖2為本發(fā)明第二實(shí)施例的靜電放電防護(hù)電路簡化后的功能方塊圖。

具體實(shí)施方式

以下將配合相關(guān)圖式來說明本發(fā)明的實(shí)施例。在圖式中，相同的標(biāo)號表示相同或類似的組件或方法流程。