[發明專利]存儲器讀取方法及存儲器裝置

有效

• 申請號: 201610878727.9
• 申請日: 2016-10-09
• 公開（公告）號: CN107170482B
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 洪俊雄;陳漢松;林明昭
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 曹玲柱

本發明提供一種存儲器讀取方法。該存儲器讀取方法包含以下步驟：使用一第一電壓電平執行一第一讀取操作以從存儲器陣列讀取數據；決定對應于從存儲器陣列中讀取的數據的位的數目的一瞬時位計數；取得對應于被寫入的數據的位的數目的一記錄位計數，被寫入的數據于一時間被寫入到存儲器陣列；取得瞬時位計數與記錄位計數之間的一差值；一旦決定差值為小于或等于一第一臨界值，輸出從存儲器陣列使用第一讀取操作讀取的數據；一旦決定差值為大于第一臨界值，執行一第二讀取操作以從存儲器陣列讀取數據，第二讀取操作使用不同于第一電壓電平的一第二電壓電平。

技術領域

本發明是有關于存儲器單元的讀取。

背景技術

存儲在存儲器陣列的存儲器單元中的數據可通過施加一電壓到存儲器單元而被讀取，此電壓被稱為讀取電壓電平或讀取電平。在一些存儲器陣列中，讀取電平可以是一固定電壓電平。存儲器單元的臨界電壓可隨著時間改變，使得使用一固定讀取電平會造成從存儲器單元中讀取數據的不精確。

發明內容

本發明描述改善在存儲器陣列存儲器單元上執行的讀取操作的精確性的裝置、系統及技術。在一實施例中，當寫入數據到存儲器陣列中的存儲器單元時，例如一閃存芯片時，計算數據中的「高臨界電壓」或者「低臨界電壓」的位的數目，并存儲為一紀錄計數數目(recorded count number，rCN)。在一些實施例中，高臨界電壓位對應位‘0’，而低臨界電壓位對應位‘1’。然而，在其他實施例中，高臨界電壓位對應位‘1’，而低臨界電壓位對應位‘0’。當接收到一讀取指令時，對從存儲器單元中感應的數據使用一第一讀取電平執行一第一讀取操作，并再次基于感應數據計算高臨界電壓位或者低臨界電壓位的數目以產生一瞬時計數數目(instant counter number，iCN)。取得瞬時計數數目(iCN)與紀錄計數數目(rCN)之間的差值。如果此差值大于一第一臨界值，這表示存儲器數據可能無法被一錯誤校正碼(error correcting code，ECC)校正。在此情況下，使用不同的讀取電平執行一或多個額外的讀取操作。在一實施例中，如果此差值為負的，則在執行一第二讀取操作時增加讀取電平。如果此差值為正的，則在執行第二讀取操作時減少讀取電平。進一步地，在一些選擇性的實施例中，如果此差值很大，例如大于一第二臨界值，這表示存儲在數據中有大量的位翻轉(flipped)，則以一大量增加(或視應用而減少)讀取電平。第二讀取操作是使用更新的讀取電平來執行，且此流程可重復直到(1)此差值小于第一臨界值，或者(2)讀取操作的次數超過讀取操作的上限。接著輸出從存儲器中讀取的數據。通過此方法，響應于一讀取指令，可通過使用不同的讀取電平執行讀取操作額外以從存儲器陣列中的存儲器單元讀出數據，這些讀取電平可在連續的讀取操作中動態的改變。

在一實施例中，在決定紀錄計數數目(rCN)之后，在紀錄計數數目的位上計算一ECC值并存儲此ECC值。當在之后的一讀取操作期間中紀錄計數數目(rCN)被讀取時，使用此ECC值校正紀錄計數數目(rCN)。如果此紀錄計數數目(rCN)無法被校正，則中止額外的讀取操作。

根據本發明的一個方面，提供了一種存儲器讀取方法。該存儲器讀取方法包括：使用一第一電壓電平執行一第一讀取操作以從一存儲器陣列讀取一數據；決定對應于從該存儲器陣列中讀取的該數據的位的數目的一瞬時位計數；取得對應于一被寫入的數據的位的數目的一記錄位計數，該被寫入的數據于一時間被寫入到該存儲器陣列；取得該瞬時位計數與該記錄位計數之間的一差值；一旦決定該差值為小于或等于一第一臨界值，輸出從該存儲器陣列使用該第一讀取操作讀取的該數據；以及一旦決定該差值為大于該第一臨界值，執行一第二讀取操作以從該存儲器陣列讀取該數據，該第二讀取操作使用不同于該第一電壓電平的一第二電壓電平。