[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610876700.6
• 申請日: 2016-09-30
• 公開（公告）號: CN107887272B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周飛
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L21/762;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

形成襯底，所述襯底包括器件區(qū)、隔離區(qū)以及位于所述器件區(qū)和隔離區(qū)之間的過渡區(qū)，所述過渡區(qū)包括偽柵區(qū)、以及位于所述偽柵區(qū)兩側(cè)的偽源漏區(qū)，所述偽柵區(qū)的兩端分別與所述器件區(qū)和隔離區(qū)接觸，所述器件區(qū)上具有鰭部，所述偽柵區(qū)上具有偽鰭部；

在形成所述鰭部和偽鰭部之后，在所述器件區(qū)、隔離區(qū)和過渡區(qū)上形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)覆蓋所述鰭部和偽鰭部部分側(cè)壁；

形成所述隔離結(jié)構(gòu)之后，在所述器件區(qū)上的鰭部上形成半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：橫跨所述器件區(qū)鰭部的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述器件區(qū)鰭部部分側(cè)壁和頂部表面；位于所述器件區(qū)柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)鰭部內(nèi)的源漏摻雜區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述襯底、鰭部和偽鰭部的步驟包括：

提供初始襯底；

在所述初始襯底上形成圖形層，所述圖形層暴露出與所述隔離區(qū)對應(yīng)的初始襯底和與所述偽源漏區(qū)對應(yīng)的初始襯底，且所述圖形層還暴露出部分與器件區(qū)對應(yīng)和部分與偽柵區(qū)對應(yīng)的初始襯底；

以所述圖形層為掩膜對所述初始襯底進行圖形化，形成襯底、位于所述器件區(qū)上的鰭部以及位于所述偽柵區(qū)上的偽鰭部。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述器件區(qū)、隔離區(qū)和過渡區(qū)上形成隔離材料層，所述隔離材料層覆蓋所述鰭部和偽鰭部的側(cè)壁，且所述隔離材料層表面高于所述鰭部和偽鰭部頂部表面；

對所述隔離材料層進行刻蝕，使所述隔離材料層表面低于所述器件區(qū)上的鰭部頂部表面，形成所述隔離結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述襯底、鰭部和偽鰭部的步驟包括：

形成基底，所述基底包括襯底和位于所述器件區(qū)襯底上的鰭部，以及位于所述過渡區(qū)和隔離區(qū)襯底上的初始鰭部；

去除所述隔離區(qū)和偽源漏區(qū)襯底上的初始鰭部，保留所述偽柵區(qū)襯底上的初始鰭部，形成偽鰭部。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括：形成所述初始鰭部之后，在所述偽柵區(qū)和器件區(qū)上形成初始第二隔離層，所述初始第二隔離層覆蓋所述鰭部和偽鰭部側(cè)壁表面；

形成所述初始第二隔離層，以及去除所述隔離區(qū)和偽源漏區(qū)上的初始鰭部的步驟包括：

在所述器件區(qū)、隔離區(qū)和過渡區(qū)上形成隔離材料層，所述隔離材料層覆蓋所述鰭部和初始鰭部的側(cè)壁，且所述隔離材料層表面高于所述鰭部和偽鰭部頂部表面；

去除隔離區(qū)上的初始鰭部和隔離材料層，在隔離區(qū)形成第一凹槽；

去除所述偽源漏區(qū)上的初始鰭部和隔離材料層，在偽源漏區(qū)形成第二凹槽，并在偽柵區(qū)上形成偽鰭部，在偽柵區(qū)和器件區(qū)上形成覆蓋所述鰭部和偽鰭部表面的初始第二隔離層。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述器件區(qū)、隔離區(qū)和過渡區(qū)襯底上形成隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述第一凹槽和第二凹槽中形成初始第一隔離層；

對所述初始第一隔離層和所述初始第二隔離層進行刻蝕，使所述初始第二隔離層表面低于所述鰭部頂部表面，形成第一隔離層和第二隔離層，所述第一隔離層和第二隔離層構(gòu)成所述隔離結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一隔離層與第二隔離層的材料相同；所述第一隔離層和所述第一隔離層的材料為氧化硅或氮氧化硅。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，去除所述偽源漏區(qū)和隔離區(qū)初始鰭部的工藝包括：干法刻蝕或濕法刻蝕。

9.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成基底的步驟包括：

提供初始襯底；

對所述初始襯底進行圖形化，形成襯底，位于所述器件區(qū)襯底上的鰭部，以及位于所述過渡區(qū)和隔離區(qū)襯底上的初始鰭部。