[發明專利]帶ESD的溝槽型MOSFET器件及其制造方法在審
| 申請號： | 201610874759.1 | 申請日： | 2016-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN106449730A | 公開（公告）日： | 2017-02-22 |
| 發明（設計）人： | 叢茂杰;沈浩峰;李豪 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | esd 溝槽 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【說明書】：
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