[發(fā)明專(zhuān)利]基板污染物分析裝置及基板污染物分析方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610872415.7 | 申請(qǐng)日: | 2016-09-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107881491A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田弼權(quán);成墉益;樸準(zhǔn)虎;樸泓榮 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 非視覺(jué)污染分析科學(xué)技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/52 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/52;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286 | 代理人: | 孫昌浩,李盛泉 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 污染物 分析 裝置 方法 | ||
1.一種基板污染物分析裝置,作為在分析對(duì)象基板上利用噴嘴捕集污染物后進(jìn)行分析的基板污染物分析裝置,其特征在于,
所述噴嘴包括噴嘴尖頭部,
在所述噴嘴尖頭部的內(nèi)側(cè)沿著縱向形成有排氣通道,該排氣通道成為排出在蝕刻所述分析對(duì)象基板的過(guò)程中發(fā)生的氣體的通道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板污染物分析裝置,其特征在于,
通過(guò)形成于所述噴嘴尖頭部的內(nèi)側(cè)的流路,向所述分析對(duì)象基板側(cè)至少提供用于所述蝕刻的蝕刻溶液和用于稀釋所述蝕刻溶液的稀釋溶液,并且,從所述分析對(duì)象基板吸入捕集污染物的樣本溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板污染物分析裝置,其特征在于,
用于吸入所述樣本溶液的管道的前端位于相比用于提供所述蝕刻溶液或所述稀釋溶液的管道的前端向下至所述分析對(duì)象基板的表面?zhèn)取?/p>
4.一種基板污染物分析裝置,作為在分析對(duì)象基板利用噴嘴捕集污染物后進(jìn)行分析的基板污染物分析裝置,其特征在于,
所述噴嘴的噴嘴尖頭部包括第1噴嘴尖頭和包裹所述第1噴嘴尖頭的外周面的第2噴嘴尖頭,通過(guò)所述第1噴嘴尖頭和所述第2噴嘴尖頭的間隔排出凈化氣體,
在所述第1噴嘴尖頭部的內(nèi)側(cè)沿著縱向形成有排氣通道,該排氣通道成為排出在蝕刻所述分析對(duì)象基板的過(guò)程中發(fā)生的氣體的通道。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的基板污染物分析裝置,其特征在于,
為了所述排氣通道的排氣,與所述噴嘴至少結(jié)合有排氣管道,該排氣通道的一端與所述排氣通道連通,另一端與排氣裝置連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的基板污染物分析裝置,其特征在于,
所述排氣通道通過(guò)連通口與所述噴嘴的外部連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的基板污染物分析裝置,其特征在于,
還包括用于支撐所述噴嘴的噴嘴托架,所述噴嘴尖頭部并非固定于所述噴嘴托架,而安置在其上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板污染物分析裝置,其特征在于,
所述噴嘴還包括從所述噴嘴尖頭部的上方與所述噴嘴托架結(jié)合的噴嘴頭,
與所述噴嘴頭結(jié)合有用于向所述噴嘴供應(yīng)溶液及從所述噴嘴排出溶液的管道。
9.一種基板污染物分析裝置,作為導(dǎo)入接收在半導(dǎo)體制造工藝中的晶圓進(jìn)行氣相分解后,將捕集污染物的溶液向分析儀輸送,并通過(guò)所述分析儀進(jìn)行分析的基板污染物分析裝置,其特征在于,
包括回收利用單元,其為了回收利用完成所述污染物的捕集的晶圓,在通過(guò)晶圓夾夾持的狀態(tài)下,通過(guò)至少包括酸系列或鹽基系列的化學(xué)物質(zhì)的溶液進(jìn)行處理;
所述晶圓夾包括晶圓夾持器,其可旋轉(zhuǎn)地固定于托架,具有與所述晶圓的側(cè)面接觸的接觸部和第1磁石,
所述晶圓夾持器當(dāng)所述晶圓夾旋轉(zhuǎn)時(shí),所述接觸部向加壓所述晶圓的側(cè)面的方向旋轉(zhuǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板污染物分析裝置,其特征在于,
形成有外部磁石,其固定于腔室,由此,在所述晶圓夾在執(zhí)行所述處理的反應(yīng)位置時(shí),使得所述第1磁石受到所述接觸部加壓所述晶圓的側(cè)面的方向的力量。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板污染物分析裝置,其特征在于,
所述外部磁石,包括:
第2磁石,所述晶圓夾在執(zhí)行所述處理的反應(yīng)位置時(shí),向所述接觸部加壓所述晶圓的側(cè)面的方向,向所述第1磁石施加力量;
第3磁石,所述晶圓夾在裝載或卸載所述晶圓的裝載/卸載位置時(shí),向使得所述接觸部逐漸遠(yuǎn)離所述晶圓的側(cè)面的方向,向所述第1磁石施加力量。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板污染物分析裝置,其特征在于,
所述第2磁石固定安裝于所述腔室的下部,
所述第3磁石固定安裝于所述腔室的側(cè)面。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板污染物分析裝置,其特征在于,
所述裝載/卸載位置位于將所述晶圓向所述腔室導(dǎo)入的位置與所述反應(yīng)位置之間。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于非視覺(jué)污染分析科學(xué)技術(shù)有限公司,未經(jīng)非視覺(jué)污染分析科學(xué)技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610872415.7/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
- 光源裝置、照明裝置、液晶裝置和電子裝置
- 預(yù)測(cè)裝置、編輯裝置、逆預(yù)測(cè)裝置、解碼裝置及運(yùn)算裝置
- 圖像形成裝置、定影裝置、遮光裝置以及保持裝置
- 打印裝置、讀取裝置、復(fù)合裝置以及打印裝置、讀取裝置、復(fù)合裝置的控制方法
- 電子裝置、光盤(pán)裝置、顯示裝置和攝像裝置
- 光源裝置、照明裝置、曝光裝置和裝置制造方法
- 用戶(hù)裝置、裝置對(duì)裝置用戶(hù)裝置、后端裝置及其定位方法
- 遙控裝置、通信裝置、可變裝置及照明裝置
- 透鏡裝置、攝像裝置、處理裝置和相機(jī)裝置
- 抖動(dòng)校正裝置、驅(qū)動(dòng)裝置、成像裝置、和電子裝置
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線(xiàn)程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





